600Vおよび650VスーパージャンクションMOSFET

PANJITのMOSFETは、電力変換回路設計の簡単で効率的な設計サポートのために最適化

「PANJITの600V/650VスーパージャンクションMOSFET」の画像PANJITスーパージャンクションMOSFETは、AC/DCやDC/DCコンバータなどのデバイスの電力変換回路設計の簡単で効率的な設計サポートのために最適化されています。PANJITの第1世代スーパージャンクションMOSFETは、適切なスイッチング性能と低いRDS(ON)により、システム設計エンジニアの設計労力が少なくて済みます。これにより、PANJITスーパージャンクションMOSFETの熱放散が少なくなり、システムサイズが小さくなります。スーパージャンクションMOSFETの堅牢性は、システム性能を適切に設計して信頼性の高いシステムを実現するための重要な要素でもあります。

PANJITのスーパージャンクションMOSFETは、ボディダイオードのdi/dtの耐久性で最高の性能を発揮します。このボディダイオードの優れた耐久性により、LLCや位相シフトフルブリッジコンバータなどのシステムにおける信頼性をより高めることができます。また、設計の複雑さを軽減してボディダイオードの故障状態を回避し、設計者が優れたボディダイオードの堅牢性を備えたシステム性能への集中を可能にします。非常に安定したスイッチング性能は、PANJITのスーパージャンクションMOSFETの重要な性能の1つです。PANJITのスーパージャンクションMOSFETは、低電圧スパイクと発振に焦点を当てた設計のために開発され、PCB設計の労力を軽減し、システム設計をより柔軟に追跡できるため、PANJITスーパージャンクションMOSFETを備えたシステムは、適切なシステム性能でEMIストレスを低減します。エンジニアとR&D開発者は、優れた信頼性でシステム性能を最大化でき、PANJITスーパージャンクションMOSFETでのより長い寿命の運用につながります。

特長
  • ボディダイオード機能の堅牢性
  • 低FOM
  • 高効率
  • 高いQ率
  • 優れたEMI性能
応用
  • 基地局
  • PC電源
  • 家電製品
  • ゲーミングアダプタ
  • PD充電器

TVS Diodes

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Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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刊行: 2022-05-13