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onsemiの標準製品で基準を引き上げる方法

onsemiの標準製品は、車載用、産業用、民生用電子機器向けに小型で高効率のソリューションを提供します。onsemiのポートフォリオは、集積ICとトランジスタ、ダイオード、LDO、アンプ、ロジック、EEPROM、保護デバイスなどのディスクリート部品を組み合わせており、エンジニアが設計を簡素化し、インターフェースを強化し、信頼性を向上できるよう支援します。

超小型オプションや業界初のイノベーションを含む170以上のパッケージで6,000を超える部品番号を持つonsemiは、Treoプラットフォームでサポートされる相互運用可能なビルディングブロックを通じて、開発の迅速化と調達の合理化を可能にします。このプラットフォームは、インテリジェントセンシングとパワーを統合した統一技術プラットフォームです。この適応性は、幅広い産業やアプリケーションに役立つでしょう。

ロジック

ポートフォリオ：onsemiはロジックデバイスで2位にランクされています。その幅広い製品群により、当社はワンストップサプライヤとして、あらゆる分野でクラス最高の品質を提供しています。

高速性能：最大140Mbpsのデータ転送速度をサポートし、要求の厳しい高性能アプリケーション向けの高速で信頼性の高いデータ転送を可能にします。

柔軟な電圧範囲：0.9V～18Vで動作する当社のデバイスは、様々な電源レベルと容易にインターフェースできます。

システム統合：レベルトランスレータは、異なる電圧ドメイン間で迅速かつ信頼性の高い信号変換を行い、システムの効率と性能の維持に貢献します。

標準ロジック

0.9V～18Vcc
ミニゲート/マルチゲート

電圧トランスレータ

双方向/無指向性
Autosense
1/2/4/8チャンネル

インターフェース

I2C I/Oエクスパンダ
I2C/I3Cトランスレータ

スイッチ

アナログスイッチ
高速バススイッチ

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EEPROM

データ保持と信頼性：最大400万回の書き込みサイクルと200年間のデータ保持により、かけがえのないストレージの長期信頼性を保証します。

広い温度範囲：車載グレード（0℃～150℃）および産業グレード（-40℃～125℃）の定格により、過酷な環境に最適です。

EEPROMの保証：特に精度が最も重要な過酷な条件下では、信頼性の高い長期データ保持が鍵となります。

onsemi標準製品：リーダーシップ、品質、大量生産能力が評価されています。

標準ロジック

12のVVO
エリミネートトランスレータ

車載用

高温（150ПC）
AM weReサイクル

広範なポートフォリオ

2kb～1mb
SPI＆I2Cインターフェース
各種パッケージ

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LDO

性能：要求の厳しいアプリケーション向けに構築された業界最先端の機能。

信頼性と長寿命：産業用および車載用環境での長寿命を実現するための設計。

柔軟な設計サポート：ブロックダイアグラムなどのリソースにより、onsemiのフルソリューションを使用した革新的なシステム設計が可能になります。

多彩な構成：最大37Vまで調整可能な出力と複数のパッケージオプション。

車載グレードの品質：AEC-Q100の認定を受け、専任のアプリケーションサポートを提供します。

高温

より高い動作温度向けのより高い動作接合部温度
高温動作向けに特別に設計されたトランジスタ
動作 Tj = 150°CTj = Ta +25°C 高PdTj = Ta + Pd *Rɵja

低VDOおよびIQ

効率の改善
低電圧ドロップアウトとより厳格な精度を実現

低VDOおよびIQ

高温（150ПC）
AM weReサイクル

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アンプ

センスアンプ：電源ソリューション（SiC、IGBT、MOSFET）に不可欠で、汎用から高精度まで、1V～80Vに対応します。

高速と正確さ：電源管理および障害保護に信頼性の高い性能を提供します。

信号の完全性：高精度アンプが正確な出力を維持し、信号品質を保ち、歪みを最小限に抑えます。

標準アンプ

高ゲインとBW
レールツーレール

高精度

低Vos/ドリフト
トリムとゼロドリフト
低ノイズ

電流検出

高電圧
ゼロドリフト
双/無指向性

低電力および計算処理

低静止電流
低入力オフセット
低オフセット電圧

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絶縁

電力使用量：1Mbpsでチャネルあたりわずか165mAを消費。エネルギー効率が重視される産業用および自動車の設計に最適です。

性能：高いコモンモード過渡耐性（CMT）により、ノイズの多い環境でも高速で信頼性の高いスイッチングを実現します。

フォトトランジスタ

狭いCIRビン
TA=125°Cファミリ

電流検出

高電圧
スナバレスTRIACドライバ

高速

低静止電流
低入力オフセット
低オフセット電圧

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トランジスタ

トランジスタファミリ：BJT、BRT、JFET、ダーリントンは10V～800Vの範囲で、10A超のオプションが利用できます。低VCE（sat）、高hFE、強力なESD耐性を特長とし、車載用、産業用、民生用システムにおいて効率的な駆動と信頼性の高いスイッチングを可能にします。

スマートな統合：バイアス抵抗トランジスタ（シングル/デュアルパッケージの17の抵抗コンボ）は、BOMと基板スペースを削減します。低ミラーJFET（～10V～40V）はRFアンプを安定させ、NPN/PNPダーリントン（～30V～400V、Ic～0.3AA～50A、ゲインは最大～30,000）は駆動を簡素化し、適切な動作ポイントにおいて、BJTをMOSFETに代わるコスト効率の高いものとします。

設計のスピードアップ：Treo Platformは選択と設計のサイクルを合理化します。

B.JT