NVBYSTシリーズ MOSFET

onsemiのNVBYSTシリーズ シングルNチャンネルパワーMOSFETは、底面冷却方式の10mm x 12mmモデルと比べて熱抵抗が30%~40%向上

onsemiのNVBYSTシリーズMOSFETの画像onsemiのNVBYSTシリーズ 車載グレードPowerTrench® T10 80V MOSFETは、TCPAK1012上面冷却パッケージで提供されます。これらのMOSFETは、AEC-Q101規格に準拠し、PPAPにも対応しており、高効率な車載用電源設計に適しています。

特長
  • 優れた低RDS(on) 0.56mΩ
  • 底面冷却10mm x 12mm品と比較して、熱抵抗が約30%~40%向上
  • 底面冷却方式の10mm x 12mm品と比較して、最大約50%の熱抵抗低減を実現し、優れたパルス処理能力を確保
  • 露出パッドの最大面積:55mm2
  • コンパクト設計:パッケージサイズ10mm x 12mm
  • ネガティブスタンドオフ
  • AEC-Q101を超える資格基準に適合
  • PPAP対応
応用
  • 48V~12V DC/DCコンバータ
  • 電動二輪車および電動三輪車のモータコントローラ
  • バッテリ管理システム
  • 48Vベルト始動発電機(BSG)
  • 同期整流器 - 車載充電器

NVBYST Series MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
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刊行: 2026-03-30