G3VM-QR MOSFETリレー

OmronのS-VSON MOSFETは、小型なフォームファクタと高い電流処理能力を装備

「OmronのG3VM-QR MOSFETリレー」の画像Omron Electronic ComponentsのG3VM-QRシリーズ S-VSON MOSFETは、小型で高電流に対応できるよう設計されており、低オン抵抗、低出力容量のG3VM-61QR3バージョンもあります。これらの4ピンMOSFETは、最大100Vの負荷電圧と0.65Aの低さの連続負荷電流を管理できます。また、500V/分の入力と出力間の絶縁耐力を提供し、-40°C~+110°Cの広い周囲温度範囲内で確実に動作します。21QR、21QR1、41QR4モデルは、高速ターンオン/ターンオフ時間、低静電容量と低抵抗、負荷電圧と連続負荷電流のバリエーションを備えています。低静電容量と低抵抗により、高周波およびデータラインアプリケーションにおける信号歪みと挿入損失を最小限に抑えます。半導体試験装置、テストおよび測定装置、通信機器、データロガーなど、様々なアプリケーションに最適なこれらのコンポーネントは、厳しい環境下でも効率的な性能を発揮します。

特長
  • 負荷電圧:30V、60V、または100V
  • 連続負荷電流:1.5A
  • 急速な応答
    • G3VM-61QR3:動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)
    • G3VM-21QR:動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)
    • G3VM-21QR1、G3VM-41QR4:動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)
  • 動作温度範囲:-40°C~+110°C
  • S-VSONパッケージ
  • 1A(SPST-NO)コンタクト形式
  • G3VM-61QR3
    • 低出力静電容量
    • 低オン抵抗タイプ
  • RoHS対応
応用
  • 半導体テスト装置
  • テストおよび計測装置
  • 通信装置
  • 電源
  • データロガー

G3VM-QR MOSFET Relays

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更新日: 2026-02-10
刊行: 2024-09-25