PNP/PNP、整合、高電力、ダブルバイポーラトランジスタ

NXPのPNP/PNP、整合、高電力、ダブルバイポーラトランジスタは、少ない発熱により、エネルギー高効率を実現

NXPが提供するPNP/PNP、高電力、ダブルバイポーラトランジスタの画像NXPは、SOT1205(LFPAK56D)面実装デバイス(SMD)、パワープラスチックパッケージで高電力、整合ダブルバイポーラトランジスタを提供します。

利点
  • 10%の電流ゲインマッチング
  • 高熱消費電力に対応
  • 最大175°Cの高温度アプリケーションに好適
  • 車載用認定
  • DPAKでのトランジスタと比べて、プリント回路基板(PCB)要件を低減
  • 少ない発熱により、エネルギー高効率を実現
応用    
  • 電流ミラー
  • モータ制御
  • 電源管理
 
  • バックライト応用
  • リレー代替

PNP Transistor Array

画像メーカー品番商品概要電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)Vce飽和(最大) @ lb、Ic入手可能な数量料金
TRANS 2PNP 100V 3A LFPAK56DPHPT610035PKXTRANS 2PNP 100V 3A LFPAK56D100V360mV @ 200mA、2A11834 - 即時$222.00詳細を表示
刊行: 2015-09-21