MMRF5017HS RFパワーGaNトランジスタ
NXPのMMRF5017HSの高ゲインおよび高耐久性により、このデバイスは連続波、パルス、および広帯域RFアプリケーション向けに最適
NXPのMMRF5017HS 125W RFパワーGaNトランジスタは、30MHz〜2200MHzの広帯域動作が可能で、CW、パルス、およびブロードバンドRFアプリケーションに最適です。30MHz〜2200MHz帯域で動作するアプリケーションの性能が保証されています。
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MMRF5017HS RF Power GaN Transistor
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
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![]() | ![]() | MMRF5017HSR5 | RF MOSFET HEMT 50V NI400 | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 |


