LDMOS RFパワートランジスタ

標準TO-247およびTO-220パッケージで提供されるNXPのLDMOS RFパワートランジスタ

NXPが提供するLDMOS RFパワー トランジスタの画像NXP Semiconductorsは、RFパワー業界を拡大し、今後何年にもわたって標準となることが期待されている2つのパワーブロックを提供します。これらのLDMOSトランジスタは、シンプルなTO-247およびTO-220パワーパッケージでRFパワーを提供するため、容易な実装を実現します。TO-247およびTO-220パッケージにより、シンプルなスルーホール技術でRFパワートランジスタを実装することができるため、複雑なはんだリフロープロセスが不要になり、製造を大幅に簡素化させることができます。小型のリファレンス回路は1.8MHz~250MHzで再利用できるため、ほとんどのHFおよびVHFシステムにおいて大幅な節約と簡素化されたサプライチェーンを実現します。

特長
  • 周波数にわたるPA設計の再利用
    • MRF300ANは、同じPCBレイアウト(2" x 3"または5.1cm x 7.1cm)を共有する一連の狭帯域リファレンス回路によってサポートされているため、RF設計者は、他の周波数に素早く対処するためにパワーアンプを作成可能
  • 2つのピン構成は、広帯域設計を実現
    • プッシュプル構成をサポートするために相互にミラーリングする2つのピン配列バージョンで提供される、100Wソリューションと300Wソリューション
  • 低コストで柔軟な実装
    • 多くの実装オプションは、BOMの低減、市場投入までの時間短縮に寄与する優れた柔軟性を提供
    • TO-247およびTO-220パッケージにより、シンプルなスルーホール技術でRFパワートランジスタを実装することができるため、複雑なはんだリフロープロセスが不要になり、製造でのユーザビリティを大幅に向上可能
応用
  • 産業用、科学用、および医療用(ISM)
    • レーザー生成
    • プラズマエッチング
    • 粒子加速器
    • MRIやその他医療用途
    • 産業用加熱、溶接、および乾燥システム
  • 放送
    • 無線放送
    • VHF TV放送
  • スイッチモード電源
  • 航空宇宙
    • VHF全方向レンジ方式(VOR)
    • HFおよびVHF通信
    • レーダ
  • 移動無線
    • VHFおよびUHF基地局
    • アマチュア無線

LDMOS RF Power Transistors

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RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300BNRF MOSFET LDMOS 50V TO24737 - 即時$13,201.00詳細を表示
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300ANRF MOSFET LDMOS 50V TO2470 - 即時See Page for Pricing詳細を表示

Development Boards

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MRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330WMRF300A-40MHZMRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330W0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
MRF300AN REF BRD 27MHZ 330WMRF300A-27MHZMRF300AN REF BRD 27MHZ 330W0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
刊行: 2018-06-20