TO-220パッケージの100W RFパワートランジスタ

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            TO-220パッケージの100W RFパワートランジスタ
  
                    NXPのRF LDMOSトランジスタは、業界標準のパッケージタイプと複数のピン配置オプションで製造を簡素化

NXPのTO-220パッケージの100W RFパワートランジスタの画像 NXPのMRF 101ANおよびMRF101BN 100W RFパワートランジスタは、VHF/UHF通信、VHF TV放送、および航空宇宙用途、ならびに産業、科学、および医療用途向けに設計されています。これらのデバイスは非常に堅牢で、最大250MHzの高性能を発揮します。

LDMOSテクノロジは現在、ユビキタスTO-220パワーパッケージでこれらのRFトランジスタに利用可能であり、顧客は確立されたアセンブリプロセスを利用することができます。これらのトランジスタは、1.8MHz～250MHzの再利用可能で非常に小型のリファレンス回路で提供されているため、大幅な節約と市場投入までの時間の短縮につながります。

動画： NXPが標準パッケージをRF電源にもたらす

特長

100W定格電力（連続波）
1.8MHz～250MHz
50V LDMOS
比類のない入出力
1.1℃/Wの熱抵抗
優れた耐久性：65：1 VSWRを処理
最短2033年まで保証
標準のTO-220オーバーモールドプラスチックパッケージが低コストで柔軟な取り付けオプションを提供
リファレンス回路は同じPCBレイアウトを共有しているため、周波数を超えて設計を再利用可能
ミラーピン配置がプッシュプル設計をサポート

応用

産業用、科学用、および医療用（ISM）
- レーザー生成
- プラズマエッチング
- 粒子加速器
- MRIやその他医療用途
- 産業用加熱、溶接、および乾燥
放送
- ラジオ放送
- VHFテレビ放送
移動無線
- VHF基地局
HFおよびVHF通信
スイッチモード電源

100 W RF Power Transistors in TO-220 Package

	画像	メーカー品番	商品概要	入手可能な数量	料金	詳細を表示
		MRF101AN	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	0 - 即時	$7,656.00	詳細を表示
		MRF101BN	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	291 - 即時	$6,731.00	詳細を表示

Reference Circuits

メーカー品番	商品概要	入手可能な数量	料金	詳細を表示
MRF101AN-230MHZ	MRF101AN REF BRD 230MHZ 115W	1 - 即時	$243,827.00	詳細を表示
MRF101AN-40MHZ	MRF101AN REF BRD 40.68MHZ 120W	0 - 即時	$85,339.00	詳細を表示
MRF101AN-81MHZ	MRF101AN REF BRD 81.36MHZ 130W	0 - 即時	$182,870.00	詳細を表示
MRF101AN-START	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	0 - 即時	See Page for Pricing	詳細を表示
MRF101AN-13MHZ	MRF101AN REF BRD 13.56MHZ 130W	0 - 即時	$54,425.00	詳細を表示
MRF101AN-27MHZ	MRF101AN REF BRD 27MHZ 125W	6 - 即時	$85,339.00	詳細を表示
MRF101AN-50MHZ	MRF101AN REF BRD 50MHZ 119W	1 - 即時	$85,339.00	詳細を表示
MRF101AN-88MHZ	MRF101AN REF BRD 108MHZ 115W	1 - 即時	$85,339.00	詳細を表示
MRF101AN-VHF	MRF101AN REF BRD 174MHZ 100W	0 - 即時	See Page for Pricing	詳細を表示