Nisshinbo Micro Devices

R5449Z 1セルLiイオンバッテリ保護IC

Nisshinbo Micro DevicesのLiイオンバッテリ保護IC、ハイサイドNチャンネルMOSFETと温度監視に最適

「NisshinboのR5449Z 1セルLiイオンバッテリ保護IC」の画像Nisshinbo Micro DevicesのR5449Z 1セルLiイオン/ポリマーバッテリ保護ICは、過充電、過放電、放電/充電過電流、温度の検出回路を備えています。このICは外部ハイサイドNチャンネルMOSFETを駆動できるため、過充電および過電流の高精度検出と、0Vバッテリの高精度充電抑制を実現します。R5449 ICは、過放電検出後に内部回路をオフにすることで、供給電流を最小限に抑えることができます。追加のCTLピンにより、ICを強制的にスタンバイモードにすることができます。

特長
  • 絶対最大定格：6.5V
  • 電源電流ノーマルモード：5.0μA（標準）
  • スタンバイ電流：0.04μA（最大）
  • パッケージ：WLCSP-8-P8（1.50mm x 1.08mm x 0.34mm）
  • 検出器の選択可能な範囲と精度:
    • 過充電検出電圧：4.2V～4.6V（0.005Vステップ、±10mV）
    • 過放電検出電圧（VDET2）：2.0V～3.4V（0.005Vステップ、±35mV）
    • 放電過電流検出電圧（VDET3）：0.012V～0.150V（0.001Vステップ）
    • 充電過電流検出電圧：-0.150V～-0.012V（0.001Vステップ）
    • 短絡検出電圧（VSHORT）：0.032V～0.200V（0.005Vステップ、±3mV）
    • VSHORTの設定範囲はVDET3の設定値に応じて変化
    • 0Vバッテリ充電抑制電圧：1.25V～2.00V（0.05Vステップ、±50mV）
    • 熱検出温度：+40℃～+85℃（+5℃ステップ、±3℃）
  • 内部固定出力遅延時間：
    • 過充電検出遅延時間：1024ms/2048ms/3072ms/4096ms
    • 過放電検出遅延時間：16ms/32ms/128ms
    • 放電過電流検出遅延時間：32ms/128ms/256ms/512ms/1024ms
    • 短絡検出遅延時間：280μs
    • 放電過電流検出遅延時間：8ms
    • 熱検出遅延時間：128ms/512ms/1024ms/4096ms
  • オプション機能：
    • 充電過電流検出：有効/無効
    • 0Vバッテリ充電：禁止
    • 過電流検出：ハイサイド（RSENS～V+）
    • 熱保護：充電および放電電流
    • 外部NTCサーミスタ：100kΩ/470kΩ
    • 温度監視サイクル：
      • 非感知時間（TTNS）：90ms/528ms/1040ms
      • センスタイム（TTS）：10ms
    • 電流センス：抵抗器/FET
応用
  • バッテリパック用Liイオン保護IC
  • スマートホン
  • 電子ガジェット
刊行： 2024-05-07