電源管理用PSMNxRx MOSFET

NexperiaのMOSFETソリューションは、ホットスワップおよびソフトスタートアプリケーション向けに安全動作領域(SOA)を強化

「Nexperiaの電源管理用PSMNxRx MOSFET」の画像NexperiaのPSMN2R3-100SSEおよびPSMN1R9-80SSE高性能NチャンネルMOSFET は、電源管理アプリケーションにおいて優れた効率と信頼性を実現するように設計されています。これらのMOSFETは、Nexperiaのホットスワップおよびソフトスタート用アプリケーション専用MOSFET(ASFET)シリーズに属し、強化された安全動作領域(SOA)性能を特長としています。PSMN2R3-100SSEは、100Vの最大ドレインソース電圧(VDS)と2.3mΩの超低RDS(ON)を特長とする一方、PSMN1R9-80SSEは80VのVDSと1.9mΩのRDS(ON)を提供します。両デバイスともに小型で高信頼性のLFPAK88(SOT1235)パッケージに収納されており、優れた熱性能と耐久性を確保しています。これらのMOSFETは、48Vバックプレーンまたは電源レールを採用した通信システムやコンピュータシステムにおけるホットスワップ、ロードスイッチ、ソフトスタート、および電子ヒューズなどのアプリケーションに最適です。低伝導損失、高電流処理能力、および堅牢な線形動作モードを備えたPSMN2R3-100SSEとPSMN1R9-80SSEは、要求の厳しい電源管理設計にとって最適な選択肢となります。

特長
  • 強化されたSOAによる優れたリニアモード動作
  • 低RDS(ON)による伝導損失の低減
  • 高電流容量(ID):255A(PSMN2R3-100SSE)、286A(PSMN1R9-80SSE)
  • 最大ドレインソース間電圧(VDS):100V(PSMN2R3-100SSE)、80V(PSMN1R9-80SSE)
  • 小型LFPAK88(SOT1235)パッケージ
  • 銅クリップ設計による高い熱性能
  • 低ゲート電荷(QG):161nC(PSMN2R3-100SSE)、155nC(PSMN1R9-80SSE)
  • 高い電力消費能力:341W(PSMN2R3-100SSE)、340W(PSMN1R9-80SSE)
  • 低ゲートしきい電圧(VGS(th)):2.6V
  • 高い信頼性と堅牢性
  • +175°Cの動作接合部温度に適合
  • 低い逆回復電荷(QRR
  • 高密度アプリケーションに好適
  • RoHS対応および鉛フリー
応用
  • ホットスワップ
  • 負荷スイッチング
  • ソフトスタート
  • 電子ヒューズ
  • 通信システム
  • 計算システム
  • 電源管理システム
  • DC/DCコンバータ
  • バッテリ管理システム
  • 産業用オートメーション
  • 民生用電子機器
  • 車載用電子機器
  • 再生可能エネルギーシステム
  • モータ駆動
  • 先進運転支援システム(ADAS)

PSMNxRx MOSFETs for Power Management

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APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPSMN2R3-100SSEJAPPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE0 - 即時$1,081.00詳細を表示
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPSMN1R9-80SSEJAPPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE1466 - 即時$1,081.00詳細を表示
刊行: 2025-08-05