NGD4300デュアルMOSFETゲートドライバ

NexperiaのNGD4300には、同期降圧またはハーフブリッジ構成でハイサイドおよびローサイドのNチャンネルMOSFETを駆動するように設計された、高性能デュアルMOSFETゲートドライバが搭載されています。これらのデバイスは、4Aのピークソース電流、5Aのピークシンク電流の堅牢で効率的なゲート駆動能力を提供するように設計されています。フローティングハイサイドドライバは、最大120Vのレール電圧で動作し、ダイオード内蔵のブートストラップ電源を使用します。ローサイドとハイサイドの出力ドライバには、それぞれ独立した不足電圧ロックアウト（UVLO）回路があり、ドライバ電源が閾値を下回ると出力ドライバがディセーブルされます。

NGD4300は、2.5V（±10%）という低電圧のTTLおよびCMOS信号に準拠した入力制御信号を受け付け、様々な制御システムとの互換性を保証します。内部電圧レギュレータによって供給される低電圧は、ローサイドおよびハイサイドパワースイッチを制御する信号経路の回路に供給され、ICの電源電圧に関係なく、低消費電力動作と制御性の高いドライバ性能を実現します。ローサイドとハイサイドの信号経路で、標準1nsの優れた遅延整合が達成されています。NGD4300はSO8、HWSON8、HSO8パッケージで提供され、-40℃～+125℃の幅広い温度範囲で動作します。