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eモードGaN FET
NexperiaのGaN FETは、低電圧（100V/150V）および高電圧（650V）アプリケーション向けにエンハンスメントモード構成を採用
Nexperiaのeモード（エンハンスメントモード）GaN FETは、電力システムに最適な柔軟性を提供する、650Vアプリケーションに最適な製品です。QC値やQOSS値が非常に低いため、優れたスイッチング性能を発揮し、650VのAC/DCおよびDC/AC電力変換の効率を向上させるだけでなく、BLDCやマイクロサーボモータドライブ、LEDドライバのスペースや部品点数を大幅に削減することができます。Nexperiaの製品ポートフォリオは、5種類の650V定格eモードGaN FETを取り揃え、RDS（ON）値が80mΩ～190mΩ、パッケージはDFN 5mm × 6mmとDFN 8mm × 8mmから選択できます。これらの製品は、高電圧、低電力（650V以下）のデータ通信/電気通信、民生用充電、ソーラー発電、産業用アプリケーションの電力変換効率を向上させます。また、ブラシレスDCモータやマイクロサーバドライブの設計にも使用でき、高トルクと高出力で精度を高めることができます。
特長
- エンハンスメントモード、ノーマリーオフ電源スイッチ
- 超高周波スイッチング機能
- ボディダイオードなし
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- 標準アプリケーション向け認定
- ESD保護
- 鉛フリー、RoHSおよびREACH対応
- 高効率、高電力密度
- LGA（ランドグリッドアレイ）パッケージ、2.2mm × 3.2mm × 0.774mm
- 低パッケージインダクタンス、低パッケージ抵抗
応用
- 高電力密度、高効率電力変換
- AC/DCコンバータ（2次段）、トーテムポールPFC
- 48Vシステムの高周波DC/DCコンバータ
- 400V～48V LLCコンバータ、2次側（整流）
- LiDAR（非車載）
- DC/DCコンバータ
- ソーラー（PV）インバータ
- D級オーディオアンプ、TV用電源、LEDドライバ
- データ通信、電気通信（AC/DC、DC/DC）コンバータ
- 高速バッテリ充電、携帯電話、ノートパソコン、タブレット、USB Type-C®充電器
- モータドライブ
e-mode GaN FETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | GAN080-650EBEZ | 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 2269 - 即時 | $1,282.00 | 詳細を表示 |
|  | GAN140-650FBEZ | 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE | 1997 - 即時 | $1,237.00 | 詳細を表示 |
| | GAN140-650EBEZ | 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE | 2365 - 即時 | $1,340.00 | 詳細を表示 |
| | GAN190-650EBEZ | 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE | 945 - 即時 | $959.00 | 詳細を表示 |
| | GAN190-650FBEZ | 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE | 1443 - 即時 | $886.00 | 詳細を表示 |
|  | GAN3R2-100CBEAZ | 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE | 3435 - 即時 | $773.00 | 詳細を表示 |
|  | GAN7R0-150LBEZ | 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G | 3465 - 即時 | $625.00 | 詳細を表示 |
|  | GANB4R8-040CBAZ | GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22 | 3520 - 即時 | $481.00 | 詳細を表示 |
|  | GANE3R9-150QBAZ | GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 | 1938 - 即時 | $1,491.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2023-06-02
日本