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GaNFast™650VシングルパワーIC
120mΩ、170mΩ、および300mΩのNavitas製パワーICは、高周波のソフトスイッチングトポロジに最適化
Navitas GaNFastパワーICは、使いやすいデジタル入力、パワー出力、および高周波パワートレインを備えています。電界効果トランジスタ（FET）、ドライブ、およびロジックのモノリシック集積により、高性能のビルディングブロックが生まれ、設計者は高速、小型、かつ効率的なパワートレインを作ることができます。
非常に高いdV/dt耐性、高速統合ドライブ、業界標準の薄型、低インダクタンス、5mm x 6mm SMT QFNパッケージといった特長により、設計者は、画期的な電力密度と効率のための迅速で信頼できるソリューションを用いたNavitasの窒化ガリウム（GaN）技術を簡単に活用することができます。このICは、フライバック、ハーフブリッジ、共振などを含む従来のトポロジの機能をMHz+まで拡張し、画期的な設計の商用導入を可能にします。
特長
- モノリシック集積ゲートドライブ
- ヒステリシスによる広い論理入力範囲
- 5V/15V入力対応
- 広いVCC範囲：10V～30V
- プログラム可能なターンオンdV/dt
- 200V/ns dV/dt耐性
- 650V eMode GaN FET
- 120mΩ、170mΩ、300mΩの低抵抗
- 2MHz動作
- 小型で薄型のSMT QFNパッケージ
- フットプリント5mm x 6mm、薄さ0.85mm
- 最小化されたパッケージインダクタンス
- 鉛フリー、RoHSおよびREACH対応
用途
- AC/DC、DC/DC、およびDC/AC
- 降圧、昇圧、ハーフブリッジ、フルブリッジ
- アクティブクランプフライバック、LLC共振、D級
- モバイル急速充電器およびアダプタ
- ノートブック用アダプタ
- LED照明とソーラーマイクロインバータ
- テレビ/モニタとワイヤレス電源
- サーバ、テレコム、ネットワーキングSMPS
GaNFast™ 650 V Single Power ICs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 取り付けタイプ | パッケージ/ケース | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NV6113-RA | MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN | 面実装 | 8-PowerVDFN | 1029 - 即時 | $488.00 | 詳細を表示 |
| | NV6115-RA | MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN | 面実装 | 8-PowerVDFN | 1274 - 即時 | $638.00 | 詳細を表示 |
| | NV6117-RA | MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN | 面実装 | 8-PowerVDFN | 2955 - 即時 | $938.00 | 詳細を表示 |
|  | NV6125-RA | MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN | 面実装 | 30-PowerVQFN | 1701 - 即時 | $638.00 | 詳細を表示 |
| | NV6127-RA | MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN | 面実装 | 30-PowerVQFN | 363 - 即時 | $938.00 | 詳細を表示 |
| | NV6123-RA | MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN | 面実装 | 30-PowerVQFN | 1635 - 即時 | $488.00 | 詳細を表示 |
| | NV6128 | MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN | 面実装 | 30-PowerVQFN | 2980 - 即時 | $1,374.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2019-01-25
日本