SuperFlash®メモリデバイス

Microchipは、SST26WF080B/080BA/016B付きのSerial Quad I/O™ SuperFlash®メモリデバイスのファミリを拡充

MicrochipのSuperFlash®メモリデバイスの画像MicrochipのSST26WF080B/080BA/016B Serial Quad I/O(SQI)フラッシュデバイスは、4ビット多重化I/Oシリアルインターフェースを利用して、標準のシリアルフラッシュデバイスの小型のフォームファクタを維持しながら性能を向上します。 SST26WF080B/080BA/016Bはまた、従来のシリアル周辺機器インターフェース(SPI)プロトコルとの完全なコマンドセット互換性をサポートします。 104MHzに達する周波数で動作する、SST26WF080B/080BA/016Bにより、SRAMでのコードシャドウイングを必要とせずに最小の待ち時間でその場で実行(XIP)機能が可能になります。 SST26WF080B/080BA/016Bは、1.65V~1.95Vの単一電源と大幅に低い消費電力で、書き込みます(プログラムまたは消去)。

このメモリデバイスの低消費電力は、携帯電話、Bluetooth®、GPS、カメラモジュール、タブレット、補聴器や、すべての電池駆動のデバイス用の理想的な選択肢となります。 さらなる利点は、SSTの専用の高性能CMOS SuperFlash®技術で達成され、性能と信頼性を大幅に向上します。

SST26WF016Bの起動時のデフォルトはWP#とHOLDピンがイネーブルで、SIO3およびSIO4ピンがディスエーブルであり、レジスタ構成なしでSPIプロトコルの動作が可能となります。

特長
  • シリアルインターフェースアーキテクチャ:SPIのようなシリアルコマンド構造を備えた小幅なマルチプレクサI/O
  • モード0およびモード3
  • x1/x2/x4シリアル周辺機器インターフェース(SPI)プロトコル、バーストモード
  • 連続リニアバースト、ラップアラウンド付き8/16/32/64バイトのリニアバースト
  • ページプログラム:x1またはx4モードでページあたり256バイト
  • 柔軟な消去能力:ユニフォームな4Kバイトセクタ、4つの8Kバイトの上部および下部のパラメータオーバーレイブロック、1つの32Kバイトの上部および下部のオーバーレイブロック、ユニフォームな64Kバイトのオーバーレイブロック
  • ソフトウェア書き込み保護:個々のブロックロック:64Kバイトのブロック、2つの32Kバイトブロック、および8個の8Kバイトのパラメータブロック
  • 低消費電力: アクティブ読み込み電流:15mA(104MHzでの標準)、スタンバイ電流:10µA(標準)
  • SFDP(シリアルフラッシュ検出可能パラメータ)
  • 入手可能なパッケージ:8接点WSON(6mm x 5mm)、8ピンSOIC(150ミル)、8接点USON(2mm x 3mm)SST26WF080B/080BA、8ボールXFBGA(Zスケール)
  • すべてのデバイスはRoHS対応


刊行: 2015-03-24