SICB2065XG5MQ-TP/SICB2065XG5M-TP SiCショットキーダイオードシリーズ

Micro Commercial Components（MCC）のGen5シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードシリーズは、高電流650V SiCショットキーバリアダイオードのファミリで、要求の厳しいパワーアプリケーション向けに、優れたスイッチング効率、無視できるほどの逆回復、優れた熱安定性を実現するように設計されています。業界標準のD2PAKパッケージに収められたこれらのデバイスは、信頼性の高い熱放散と堅牢な電気的性能を必要とする高密度・大電力設計向けに最適化されています。先進のSiC技術（マージドピンショットキー（MPS））を採用したこのシリーズは、低い順方向電圧降下（1.3V）、ほぼゼロに近い逆回復動作、安定した高温動作（最高+175℃）を実現し、設計者は、力率改善段、産業用電源、再生可能エネルギーシステム、大電流整流回路などで、システム効率の向上、スイッチング損失の低減、電力密度の向上を図ることができます。

特長

• 最新のMPSテクノロジーに基づいた設計
• 逆回復電流がゼロに近く（Q_c= 136nC）、スイッチング損失を低減し、高周波効率を改善
• 大電流対応（I_F = 86A）、要求の厳しい電力変換段をサポート
• 650V V_RRM定格、高電圧遮断および整流用途に最適
• 高速スイッチング特性により、EMIを低減し、システム性能を向上
• 優れた放熱性と機械的信頼性を提供するD2PAKパワーパッケージ
• 正の温度係数は、高出力条件下での熱暴走防止を支援
• RoHS指令およびハロゲンフリー、世界的な環境基準およびグリーン製造基準に準拠