DFN3333およびDFN5060パッケージのMCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP PチャンネルMOSFET

MCCのPチャンネルMOSFETは、ドレインソース間電圧(VDS)が100Vに設計されており、高電圧アプリケーションに最適

「Micro Commercial ComponentsのDFN3333およびDFN5060パッケージ収容のMCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP PチャンネルMOSFET」の画像Micro Commercial Components(MCC)の高性能PチャンネルMOSFETは、ハイサイドスイッチ設計を簡素化するように設計されており、小型DFN333パッケージのMCG052P10Y-TPとDFN5060パッケージのMCAC054P10Y-TPを選ぶことができます。これらのデバイスは、低RDS(ON)と堅牢な連続電流定格を組み合わせることにより、効率的な電力管理を実現します。MCG052P10Y-TPはオン抵抗52mΩ、連続定格電流16Aであり、もう1つのMCAC054P10Y-TPはオン抵抗54mΩ、連続定格電流16Aで、より高い連続定格電流25Aを備えています。どちらのMOSFETもスプリットゲートトレンチ技術を採用しており、要求の厳しいアプリケーション向けに優れた安定性、低オン抵抗、高効率を実現しています。

特長
  • VGS=10Vで52mΩ(最大)および54mΩ(最大)の低RDS(ON)により、導通損失を最小限に抑え、システム全体の効率を向上
  • 低スイッチング損失と高効率のために最適化されたスプリットゲートトレンチMOSFET技術
  • 100V VDSは高電圧アプリケーションに最適
  • 接合部~ケース間の熱抵抗が+5°C/Wおよび+1.86°C/Wと低くく、PCBへの熱伝達が効率的になり、即時の熱シャットダウンなしで高電力レベルでの安定した動作が可能
  • 世界的な環境基準とグリーン製造イニシアティブに沿ったRoHSおよびハロゲンフリー
応用
  • サーバ、ストレージシステム、ネットワーク機器の配電および負荷切り替え
  • BMS
  • DC/DCコンバータ
  • プロフェッショナル用パワーアンプ
  • 産業用モータドライブおよびソレノイド制御

MCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP P-Channel MOSFETs in DFN3333 and DFN5060 Packaging

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MCAC054P10Y-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN50604879 - 即時$244.00詳細を表示
刊行: 2026-01-27