MCACD6D3N06Y-TP 60V NチャンネルMOSFET

Micro Commercial ComponentsのMCACD6D3N06Y-TPは、低オン抵抗と高速スイッチングに最適化されたスプリットゲートトレンチMOSFET技術を採用

「Micro CommercialのMCACD6D3N06Y-TP 60V NチャンネルMOSFET」の画像Micro Commercial ComponentsのMCACD6D3N06Y-TP高性能シングルNチャンネルMOSFETは、省スペースのPDFN5060-8Dパッケージで提供されます。このデバイスは6.3mΩという超低RDS(ON)で動作し、最も要求の厳しく、スペースに制約のあるアプリケーションに比類のない電力密度と効率を提供します。

特長
  • 低RDS(ON)と高速スイッチングに最適化されたスプリットゲートトレンチMOSFET技術
  • VGS=10Vで6.3mΩ(最大)の低RDS(ON)により、伝導損失を最小限に抑え、発熱を低減し、システム全体の効率を改善
  • 世界的な環境基準とグリーン製造イニシアティブに沿ったRoHSおよびハロゲンフリー
  • 60Vのドレイン~ソース間電圧(VDS)定格は、標準の48Vバッテリシステムで動作するアプリケーションの電圧スパイクやリングに対応する十分なマージンを提供
  • 接合部~ケース間の熱抵抗が+1.6℃/Wと低く、熱伝達を改善し、高出力条件下でも安定した動作をサポート
  • 最大接合部温度TJ(最大)を+175℃に拡張し、重工業用アプリケーションに対応
  • PDFN5060-8Dパッケージは、スペースに制約があり、熱的に厳しいアプリケーション向けに設計
  • 底面に露出した大型サーマルパッドが優れた放熱性能を確保
  • 堅牢な設計により、優れた機械的安定性と標準SMTアセンブリ自動化との互換性を維持
応用
  • SMPS
  • バッテリ管理システム(BMS)
  • 産業用モータ駆動および制御
  • 低電圧ドローンおよびUAV電源システム
  • サーババックプレーンのOR-ing構成としての電源パス管理

MCACD6D3N06Y-TP 60 V N-Channel MOSFET

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刊行: 2026-01-28