DFN5060パッケージ収容のMCAC3D0P03L-TP 30V PチャンネルMOSFET

MCCのMCAC3D0P03L-TP 30V PチャンネルMOSFETは、高電流ハイサイドスイッチング用の5mm x 6mm小型パッケージで3.0mΩ、40Aを提供

「MCCのMCAC3D0P03L-TP 30V PチャンネルMOSFET、DFN5060パッケージ」の画像Micro Commercial Components(MCC)のMCAC3D0P03L-TPは、スペース効率の良いDFN5060パッケージの高性能PチャンネルMOSFETです。このデバイスは、ハイサイドスイッチの設計を簡素化するように設計されており、低い3.0mΩのオン抵抗と堅牢な120Aの連続電流定格を兼ね備えています。スペースに制約のあるアプリケーションでパワーレールを制御するための小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

特長

  • VGS=10Vで3.0mΩ(最大)の低RDS(on)を特長とし、導通損失を最小限に抑え、システム全体の効率を向上
  • 低スイッチング損失と高効率のために最適化されたトレンチLV MOSFET技術
  • 接合部からケースまでの熱抵抗が0.82°C/Wと低く、熱を効率的にPCBに伝達可能。これにより、すぐにサーマルシャットダウンすることなく、高電力レベルでも安定した動作が実現
  • 30Vのドレインソース間電圧(VDS)は、12V電源バスアプリケーションに最適で、動作に十分なマージンを提供
応用
  • サーバ、ストレージシステム、ネットワーク機器の配電と負荷切り替え
  • BMS
  • 電源管理ユニット
  • DC/DCコンバータ

MCAC3D0P03L-TP 30 V P-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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P-CHANNEL MOSFET,DFN5060MCAC3D0P03L-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN50604995 - 即時$206.00詳細を表示
刊行: 2025-12-08