Depletion-Mode D2™パワーMOSFET

IXYS/LittelfuseのDepletion-Mode D2™ MOSFETは、一般的に使用されるエンハンスメントモードの部品によって複製できないユニークな特性を備えています。 通常のNチャンネルエンハンスメントモードのタイプとは異なり、デプレッションモードパワーMOSFETは、ターンオンのためのゼロゲートバイアス、およびターンオフのための負のゲートバイアスを必要としますが、その他の点で類似の特性を有しています。 これらデバイスの「ノーマリオン」動作モードは、強化されたリニア動作機能と相まって、電流源、電流レギュレータ、ソリッドステートリレー、レベルシフト、アクティブ負荷、起動回路、および有効電力フィルタにおいて理想的なデバイスの選択を実現します。

これらのデバイスは、500V～1000Vのブロッキング電圧、最小500mΩ（最大）のオン抵抗（Rdson）、および最大6Aのドレイン電流定格で入手可能です。これらの製品は、オフラインアプリケーションでラインインターフェース向けに使用する時に簡易制御および低減されたライン電圧消費を提供できます。 これらのデバイスには、ターンオン用にエネルギーまたはゲート電圧が不要であるため、ゼロパワー「ノーマリオン」負荷スイッチアプリケーションでのデバイスの実装を通して高いエネルギー効率を達成することができます。 また、高度の電流レギュレーションを備えたこれらのデバイスは、電圧および電流ノイズやスパイクを制限するために、パワーフィルタアプリケーションで高いダイナミックインピーダンスを備えたアクティブインダクタとして機能することができます。 さらに、これらのデバイスは、短絡または過負荷状態中に電流のサージを制限するために、アクティブ回路保護を提供できます。