IXYS

600VウルトラジャンクションX3 HiPerFET™ディスクリートMOSFET

IXYSのX3クラスNチャンネルMOSFETは、低いオン抵抗[RDS(ON)]とゲート電荷（Qg）を提供

「600VウルトラジャンクションX3 HiPerFET™ディスクリートMOSFET」の画像Littelfuse Technology、IXYSは、優れた性能指数（RDS(ON) × Qg）を提供するNチャンネルウルトラジャンクションMOSFETを提供し、これにより、導通損失とスイッチング損失が最小になり、電源システムにおける電力密度とエネルギー効率が向上します。最新のウルトラジャンクションX3クラスパワーMOSFETは、チャンネル抵抗RDS(ON)とゲート電荷Qgが大幅に低減されています。このファミリは、先行モデルのX2クラスと比較して、性能指数（FOM）– RDS(ON) x Qgが大幅に減少しています。これらの利点により、設計者はより高い効率と電力密度の向上を実現できます。このHiPerFET™シリーズのパワーMOSFETは、低い逆回復電荷（QRM）と短い逆回復時間（trr）を提供するボディダイオードを備えています。ウルトラジャンクションX3クラス600V MOSFETは、テレコム電源、モータ制御、無停電電源装置、DC-DCコンバータ、ソーラーインバータ、およびマルチレベルインバータの同期整流を含むアプリケーションに使用できます。

リソース

特長
  • 低オン抵抗[RDS(ON)]、低ゲート電荷（Qg）
  • 高速ソフトリカバリボディダイオード
  • dv/dtに対する耐久性
  • 優れたアバランシェ性能
  • 国際標準パッケージ
応用
  • 軽量電動車両（LEV）用のバッテリ充電装置
  • スイッチングの同期整流
  • 電源
  • モータ制御
  • DC/DCコンバータ
  • 無停電電源（UPS）
  • 電動フォークリフト
  • D級オーディオアンプ
  • テレコムシステム

600 V Ultra Junction X3 HiPerFET™ Discrete MOSFETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
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刊行： 2021-12-07