産業用および拡張テスト用DDR3/3L SDRAM

産業用および拡張テスト用のこのデバイスは、初期の寿命不良リスクを軽減するためにInsignis独自の拡張テストフローで検証された高速DDR3/3LシンクロナスDRAM（SDRAM）であり、これによって産業用使用に高品質と長期信頼性が確保されます。このチップは、DDR3との完全下位互換を含め、あらゆるDDR3L DRAMの主要機能に適合するように設計されていますが、唯一の例外は1Gb DDR3部品と1Gb DDR3L部分の間に必要な電圧です。すべての制御入力とアドレス入力は、外部から供給される1対の差動クロックと同期します。入力は、差動クロックのクロスポイント（CK立ち上がりとCK#立ち下がり）でラッチされます。すべてのI/Oは、ソース同期方式で差動DQSペアと同期されます。

すべての2Gb DDR3部品は、2Gb DDR3Lでカバーされます。2Gb DDR3部品およびDDR3L部品は、+1.35V〜0.067V/+0.1Vの単一電源で動作します。1Gb DDR3部品には1.5Vの駆動電圧が必要ですが、1Gb DDR3L部品には1.35Vの駆動電圧が必要です。すべての部品はBGAパッケージで供給されています。