産業用および拡張テストDDR2 SDRAM

NDB16Pは高速CMOS DDR2同期式DRAMで、 Insignisの早期寿命不良を緩和するために独自の拡張テストフローを提供し、産業用に高品質と長期信頼性を確保します。これらのデバイスは、アディティブレイテンシ、ライトレイテンシ=リードレイテンシ-1、オンダイ終端（ODT）のポストCAS#などの、DDR2 DRAMキー機能に適合するように設計されています。

すべての制御入力とアドレス入力は、1対の外部から供給される差動クロックと同期します。入力は、差動クロックのクロスポイント（CK立ち上がりとCK#立ち下がり）でラッチされます。すべてのI/Oは、ソース同期方式で、一対の双方向ストローブ（DQSおよびDQS#）と同期されます。

インターリーブされた方法でメモリバンクを動作させることにより、ランダムアクセス動作が標準DRAMで可能であるよりも高いレートで発生することが可能になります。自動プリチャージ機能が、バーストシーケンスの終了時に開始する自己タイミング型行プリチャージを提供することを可能にします。バースト長、CASレイテンシ、およびデバイスのスピードグレードに応じて、シーケンシャルおよびギャップレスデータレートが可能です。