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ワイヤレス充電向けパワーMOSFETワイヤレス充電市場は2つの規格（誘導（Qi）と共振（共振AirFuel））が優位を占めています。 Infineonは両方の規格向けにパワーMOSFETソリューションを提供しており、主要なワイヤレス充電アライアンスであるワイヤレスパワーコンソーシアム（WPC）とAirFuelで活躍するメンバーでもあります。 ワイヤレス充電とはワイヤレス充電とは、電磁場を使ってトランスミッタからレシーバアプリケーションに電力を供給し、バッテリを充電する方法です。 そのため、電力を供給するための物理的なコネクタとケーブルは不要になります。これは、この技術の多くの利点のうちの1つです。 ワイヤレス充電を使う理由有線ソリューションと比べ、ワイヤレス充電には多くの利点があります。 上述のように、ワイヤレス充電は電力を供給するための物理的なコネクタとケーブルを不要にします。ワイヤレス充電ではちり、水などの侵入点を少なくできるため、厳しい環境での信頼性も向上します。 ワイヤレス充電のその他の利点として、安全性の向上、デバイスごとに異なるプラグが不要、複数のデバイスを一度に充電可能、公共の場所で簡単に充電可能などが挙げられます。 BSZ0909ND OptiMOS™ハーフブリッジワイヤレス電力供給およびドライブ向けに最適化されたInfineonのソリューション
BSZ0909NDは、設計者が効率を損なうことなくレイアウトを簡素化し、スペースを大幅に節約することを目標とする、ワイヤレス充電またはドライブ（ドローンやマルチコプターなど）アーキテクチャに完全に適合します。 PQFN 3x3パッケージと組み合わせたOptiMOS™技術は、スペースが重要な要件であるDC/DCアプリケーション向けに最適化されたソリューションを提供します。 さらに、高速スイッチングに関しては、BSZ0909NDは業界トップの製品です。 本製品は、性能指数であるゲート電荷 x RDS(on)（Qg*RDS(on)）を最適化しており、6.78MHzにおけるスイッチング損失と導電損失の低減を達成しています。
IR MOSFET™ - IRL60HS118およびIRL80HS120ワイヤレス電力供給およびドライブ向けに最適化されたInfineonのソリューション
InfineonのIR MOSFET™ IRL60HS118およびIRL80HS120 - ロジックレベルのパワーMOSFET - は、ワイヤレス充電アプリケーションに最適です。 PQFN 2 x 2パッケージは、高速スイッチングや、フォームファクタが重要なアプリケーションには特に適しており、高い電力密度、効率向上、大きな容積削減を達成できます。 ゲート電荷Qgが低いため、伝導損失を犠牲にすることなくスイッチング損失を低減することができます。 ゲート電荷が低くても、論理レベルの積により、他の製品よりも低いRDS(on)が実現されます。 FoM（Figures of Merit）の改善により、高いスイッチング周波数での動作が可能です。 さらに、ロジックレベル駆動によりゲートの閾値電圧VGS(th)が低くなるため、このMOSFETは5Vで、マイクロコントローラから直接駆動できます。
共振AirFuel（A4WP）通常はワイヤレス充電のための電力供給に使う共振AirFuel（A4WP）規格は、6.78MHzという相対的に高い周波数を使う磁界共振の原理に従っています。 MHzのスイッチングを実装するため、InfineonはクラスD共振インバータ設計向けに高性能30VデュアルMOSFET（BSZ0909）をリリースしました。
高性能30VデュアルMOSFET以外に、InfineonはクラスDおよびクラスE共振設計向けに多くの製品を提供しています。
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