低損失で超高線形性のRF可変アッテネータ

Renesasは、広帯域通信システムを対象とする、低損失で超高線形性のRF可変アッテネータの3製品を発売

Renesasが提供する低損失で超高線形性のRF可変アッテネータの画像Renesasは、低損失で超高線形性のRF可変アッテネータの3製品を発売します。 Renesasの6ビットF1912および7ビットF1956 DSAは、Renesasの業界初の画期的なGlitch-Free™技術を特長としています。この技術は、最上位ビット(MSB)の変化時に発生するトランジェント「グリッチ」を最大で95%低減することで、送受信パスからの減衰設定のオーバーシュート(グリッチ)発生を消去します。 Glitch-Free応答により、ソフトウェアインターフェースの簡素化、信頼性の向上、パワーアンプなどの高価なサブアセンブリの損傷防止、データコンバータ入力のオーバーレンジ制限が可能になります。

F2250は、VVAのファミリ初の製品であり、50MHz~6000MHzの周波数帯、2GHzで1.4dBの挿入損失、 65dBmの高いIP3I線形性および-40°C~105°Cという広い温度範囲を特長としています。 VMODE機能により、顧客は高いdB線形性を有する正負どちらの減衰制御も選択できます。

F1912の特長
  • シリアルおよび6ビットパラレルインターフェース
  • 31.5dBの制御範囲
  • 0.5dBのステップ
  • Glitch-FreeTM低トランジェントオーバーシュート
  • 電源:3.0V~5.25V
  • 1.8Vまたは3.3Vの制御論理
  • 減衰誤差 <0.22dB @ 2GHz
  • 低挿入損失 <1.6dB @ 2GHz
  • 超高線形性のIIP3 >+59.5dBm
  • IIP2 = +110dBm標準
  • 全温度にわたる安定した積分非直線性
  • 550μA(標準)の低消費電流
  • 動作温度:-55°C~105°C
  • 4mm x 4mmの薄型QFN 20ピンパッケージ
F1956の特長
  • シリアルおよび7ビットパラレルインターフェース
  • 31.75dBの範囲
  • 0.25dBのステップ
  • Glitch-FreeTM低トランジェントオーバーシュート
  • セトリング時間:500ns
  • 超高線形性 >64dBm IIP3
  • 低挿入損失 <1.7dB @ 4GHz
  • 減衰誤差 <±0.2dB @ 4GHz
  • 3.3Vまたは5Vの電源
  • 1.8Vまたは3.3Vの制御論理
  • 動作温度:-40°C~105°C
F2250の特長
  • 低挿入損失:1.4dB @ 2000MHz
  • 標準/最小 IIP3:65dBm/47dBm
  • 標準/最小 IIP2:95dBm/87dBm
  • 33.6dBの減衰範囲
  • 双方向RFポート
  • +34.4dBm入力P1dB圧縮
  • VMODEピンにより、正負どちらの減衰制御応答も可能
  • dB線形性減衰特性
  • 電源電圧:3.15V~5.25V
  • VCTRL範囲:0V~2.8V
  • 最大動作温度:+105°C
  • 3mm x 3mm 16ピンTQFNパッケージ
刊行: 2015-09-01