PチャンネルPowerTrench® MOSFET

onsemiが提供する最新の中電圧パワー100V、150VのPowerTrench MOSFETは、小さなゲート電荷（QG）、小さな逆回復電荷（Qrr）、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせることにより、最適化されたパワースイッチとなり、AC/DC電源での同期整流用の高速スイッチングに寄与します。 最新の100V、150VのPowerTrench MOSFETは、充電バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。

この高度な技術を利用することにより、これらのデバイスのFOM（性能指数（QGx_RDS(ON)））は前世代製品よりも66%低くなります。 新しいPowerTrench MOSFETのソフトボディダイオード性能は、同期整流での望ましくない電圧スパイクを最小化できるため、スナバ回路を排除するか、またはより高い電圧定格MOSFET回路の必要性を置き換えることができます。 最新の100V、150VのPowerTrench MOSFETは、同期整流アプリケーションでシステム効率および電力密度を大幅に向上させる機会を設計者に提供します。