FDMC86340 80V NチャンネルシールドゲートPower Trench® MOSFET

onsemiのFDMC86340はシールド型ゲート技術を組み込み

FairchildのFDMC86340 80V NチャンネルシールドゲートPower Trench® MOSFETの画像このNチャンネルMOSFETは、onsemiの高度のPower Trench®プロセスを使用して生産され、シールド型ゲート技術を組み込んでいます。 このプロセスは、オン状態抵抗用に最適化されており、なおかつ優れたスイッチング性能を維持します。

特長
  • シールド型ゲートMOSFET技術
  • 最大Rds (on) = VGS = 10Vで6.5mΩ、LD = 14A
  • 最大Rds (on) = VGS = 8Vで8.5mΩ、LD = 12A
  • 極めて低いRDS(on)用の高性能技術
  • 端子は鉛フリー
  • RoHS対応品

80 V N-Channel MOSFET

画像メーカー品番商品概要ドレイン~ソース間電圧(Vdss)電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)入手可能な数量価格詳細を表示
MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33FDMC86340MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER3380 V14A(Ta)、48A(Tc)2388 - 即時$489.00詳細を表示
刊行: 2013-09-17