FDMC86340 80V NチャンネルシールドゲートPower Trench® MOSFET
onsemiのFDMC86340はシールド型ゲート技術を組み込み
このNチャンネルMOSFETは、onsemiの高度のPower Trench®プロセスを使用して生産され、シールド型ゲート技術を組み込んでいます。 このプロセスは、オン状態抵抗用に最適化されており、なおかつ優れたスイッチング性能を維持します。
- シールド型ゲートMOSFET技術
- 最大Rds (on) = VGS = 10Vで6.5mΩ、LD = 14A
- 最大Rds (on) = VGS = 8Vで8.5mΩ、LD = 12A
- 極めて低いRDS(on)用の高性能技術
- 端子は鉛フリー
- RoHS対応品




