フィールドストップIGBT技術

ON SemiconductorのフィールドストップIGBTは、高入力インピーダンスと高電流能力が特長

最適な性能のためのFairchildの650V、30A/40A/60A、フィールドストップトレンチ型IGBTの画像ON Semiconductorのフィールドストップ(FS)IGBT技術により、設計者は、低い導電およびスイッチング損失が不可欠な際に最適な性能を提供しながらも、より高い入力電圧を備えた非常に信頼性の高いシステムの開発が可能です。 IGBTは高電流処理能力、プラスの温度係数、狭いパラメータ分布および広い安全動作領域が特長です。 向上した降伏電圧は、負の周囲温度が存在する際の信頼性を向上します。 温度が低下するにつれ、IGBTおよびFRDブロッキング電圧もまた降下し、このデバイスを寒冷地で使用されるPVソーラーインバータ向けに特に有益とします。 IGBTおよびフリーホイールダイオードの入念な選択は最大の効率に不可欠なため、ON SemiconductorのIGBTは、消費電力を低減し、低いターンオンおよびターンオフ損失を達成する高速でソフトなリカバリを提供します。

ON SemiconductorのFS技術は、信頼性や耐久性を犠牲にすることなく高性能を達成し、IGBT性能の継続的な進歩に取り組んでいます。 同社の第4世代の技術の開発は、他のすべてのFS IGBTよりも優れたトレードオフ特性および強力なダイナミックラッチアップ堅牢性を実現します。

ホワイトペーパー - 詳細な分析と性能の結果

特長
  • 最大接合温度:Tj = 175°C
  • 容易な並列動作向けのプラスの温度係数
  • ILM(1)に対して100%の部品を検査済み
  • 低飽和電圧:
    VCE(sat)=1.8V(標準)@IC=30A、40A、60A
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング
  • 狭いパラメータ分布
  • RoHS対応
  • 高電流能力
応用    
  • 溶接機や産業アプリケーション、および力率補正

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刊行: 2015-09-28