PERSYST xSPI MRAM：ミッションクリティカルアプリケーション向け高信頼性メモリ

Everspin TechnologiesのPERSYST xSPI MRAMは、航空宇宙、防衛、新宇宙、およびその他のミッションクリティカルなシステム向けに設計された高信頼性メモリファミリで、過酷な環境および動作条件下でも強固なデータ保持を必要とします。Everspinの実績あるスピン伝達トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（STT MRAM）技術をベースに構築されたこの製品は、バッテリ、リフレッシュサイクル、ウェアレベリング、データ損失リスク状態を必要とせず、真の不揮発性、高速ランダムアクセス、業界トップクラスの耐久性を実現します。

これらのPERSYSTは、Everspin標準MRAMデバイスを強化し、高信頼性環境向けに調整された追加スクリーニングおよび適格性評価ステップを備えています。各デバイスは48時間のバーンインプロセスを経て、初期不良を特定および排除し、ミッション期間の信頼性を向上させ、予測可能な長期性能を実現するよう設計されています。デバイスは-40℃～+125℃の温度範囲での動作をサポートし、航空電子工学モジュール、高高度プラットフォーム、推進制御システム、および高温産業用装置によく見られる過酷な熱条件下での動作を可能にします。これらの製品は、AEC-Q100グレード1仕様で製造およびテストされています。

放射線にさらされるアプリケーションをサポートするために、Everspinは、1Mradを超える全電離線量（TID）性能、単一イベント効果（SEE）試験、および関連する動作限界データの詳細を記載した放射線特性評価レポートを提供します。このレポートは、放射線環境下での予測可能な挙動が要求される宇宙、航空宇宙、医療、その他の戦略的グレードのプログラム用の部品を評価するシステム設計者に役立ちます。

PERSYST xSPI MRAMファミリのドロップイン、高信頼性拡張デバイスとして、これらのデバイスは、レガシーFRAM、SRAM、およびnvSRAMベースのシステムを近代化するためのシームレスなパスを提供します。事実上無制限の耐久性と即時の不揮発性により、これらのデバイスは、フラッシュやEEPROMベースのソリューションに関連する複雑さを排除し、長期的なシステムの回復力を向上させながら、ファームウェア開発を簡素化します。頑丈な設計、強化されたスクリーニング、温度や放射条件に対する予測可能な性能の組み合わせは、信頼性に妥協できない設計者をサポートします。