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マーケットプレイス製品
EPC2057 50V、8.5mΩ窒化ガリウムFET
EPCのトランジスタはオン抵抗が8.5mΩと超低抵抗で、電力損失を大幅に低減し、全体的な効率を向上
EPCのEPC2057 50V、66Aパルス電流窒化ガリウムFET（電界効果トランジスタ）は、民生用電子機器、車載用充電、eMobilityなどで使用されるハイパワーUSB-C®デバイスの進化するニーズに対応するよう特別に設計されています。このトランジスタは8.5mΩという超低オン抵抗を誇り、電力損失を大幅に削減し、全体的な効率を向上させます。フットプリントが小さいため、スペースが限られたアプリケーションに最適で、より小型で効率的な電源アダプタと充電器が可能になります。
特長
- 高効率
- 超低オン抵抗8.5mΩにより、電力損失を大幅に低減し、全体的な効率を向上
- 小型の設計
- フットプリントが小さく、スペースに制約のあるアプリケーションに最適で、より小型で効率的な電源アダプタや充電器を実現
- 高速スイッチング
- GaN技術によりスイッチング速度の高速化、電力密度の向上、受動部品のサイズ縮小が可能になり、より小型軽量な設計が実現
- ID：9.6A
- VDS：50V
- RDS(ON)：8.5mΩ以下
応用
- DC/DCコンバータ
- データセンター
- AIサーバ
- USB-Cバッテリ充電器
- LED照明
- 12V～24V入力モータドライブ
EPC2057 50 V, 8.5 mΩ GaN FET
刊行： 2024-07-01
日本