DMTHxxxxSPGWQ 100V PowerDI 8080車載用MOSFET

Diodes車載用MOSFETは、高出力BLDCモータとDC/DCコンバータが対象

「DiodesのDMTHxxxxSPGWQ 100V PowerDI® 8080車載用MOSFET」の画像Diodesは、40V~80V定格のMOSFETに加え、超低RDS(ON)で車載対応の100V MOSFETを搭載した、熱効率に優れたPowerDI8080-5パッケージMOSFETポートフォリオを拡充しています。このポートフォリオは、ICE車、電気自動車、ハイブリッド車の高出力BLDCモータとDC/DCコンバータを対象としています。

100V定格のDMTH10H1M7SPGWQ MOSFETの最大ドレインソース間オン抵抗1.5mΩを活用することで、バッテリ切断スイッチ、車載用充電器、48V高出力BLDCモータ駆動アプリケーションなどのアプリケーションで、導通損失を低減し、効率を最大化することができます。

DMTH4M40SPGWQ 40V定格ガルウィングパッケージMOSFETは、0.4mΩ(最大)RDS(ON)が特長で、これは業界最低水準の1つです。この製品は12V BLDCモータやDC/DCアプリケーションに最適です。60V定格のMTH6M70SPGWQは、24Vアプリケーションで高性能を発揮します。

PowerDI8080-5パッケージのPCBフットプリントは64mm2であり、TO-263パッケージより40%小型化されています。また、オフボードプロファイルは1.7mmで、TO-263(D2PAK)より63%低くくなっています。

ダイと端子間の銅クリップボンディングは、0.3℃/Wという低い接合部~ケース間熱抵抗を可能にし、PowerDI8080-5は847Aという高電流に対応し、TO-263パッケージの8倍の電力密度を実現します。

産業用/商用アプリケーションには、標準規格に準拠したPI5USB216が利用可能で、こちらが好適です。

特長
  • PowerDI8080-5 PCBフットプリントは64mm2で、TO-263 PCB面積のわずか40%を占有し、高電力密度設計を促進
  • 低パッケージインダクタンス。クリップ設計により寄生インダクタンスとEMIを低減
  • ガルウィングリードがAOIによる外観検査を可能にし、高温サイクル信頼性を向上
  • 業界をリードするRDS(ON)を活用し、オンステート損失を低減し、電力消費の多い車載システムの効率を最大化
  • 1.5mΩのオン抵抗で効率を最大化する超低RDS(ON)
  • RthJCは+0.3℃/Wと低く、847Aという高電流の扱いが可能

DMTHxxxxSPGWQ 100 V PowerDI 8080 Automotive MOSFET

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刊行: 2026-05-06