高性能メモリソリューション
ディスクリートメモリ半導体分野で40年以上の経験を持つInfineonは、車載用、産業用、民生用、通信アプリケーション向けのベストオブブリードのメモリ製品を業界に提供しています。Infineonは1982年に最初のランダムアクセスメモリを発表し、その幸先の良いスタートを皮切りに、NORフラッシュ、pSRAM、SRAM、nvSRAM、F-RAMなど、その製品範囲を拡張してきました。比類のない品質と長期供給契約、そして次世代技術への投資に対する強いコミットメントにより、Infineonのメモリソリューションは、今後数十年にわたり業界をリードし続けるでしょう。
揮発性および不揮発性メモリの差別化されたポートフォリオ:
- 安全、安心、信頼のNORフラッシュのSEMPER™ファミリ
- 超低電力、高性能、高信頼性F-RAM製品のEXCELON™ファミリ
- HYPERBUS™インターフェース対応HYPERFLASH™ NORフラッシュ
- HYPERRAM™ pSRAMメモリ
- NORフラッシュ
- F-RAM
- nvSRAM
- SRAM
- pSRAM
NORフラッシュ
InfineonのNORフラッシュ製品は、最高レベルの安全性、信頼性、セキュリティを確保するために細心の注意を払って設計されています。長寿命プログラムは長期にわたる供給継続を保証し、優れた品質を保証するゼロ欠陥ポリシーを補完します。 設計プロセスを合理化し、市場投入までの時間を短縮するための包括的な設計ツールとサポートリソーススイートが利用可能です。InfineonのNORフラッシュメモリは、産業用、車載用、通信用、データセンターアプリケーション用に調整された幅広いポートフォリオにより、あらゆる条件下で信頼性の高い性能を実現する競争力を提供します。
SEMPER™は、Infineonの次世代NORフラッシュファミリで、機能安全のために設計され、すべてのシステムが常に既知の状態で起動し、確実に動作することを保証します。信頼と完全性が重要な場合、SEMPER™ Secureデバイスは、クラウドツーチップのセキュリティで認証されたアクセス、リモートID認証、セキュアなOTAアップデートを行うために、ルートオブトラストと暗号化エンジンを追加します。ウェアラブルやその他の小型バッテリ駆動デバイスの場合、SEMPER™ Nanoは最小のフォームファクタと最低の消費電力を実現し、バッテリ寿命を最大限に延ばします。
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主な機能
- 64Mb~4Gb(最大)の不揮発性ストレージ
- 高性能シリアルおよびパラレルインターフェース
- ASIL-D準拠の統合機能安全機能
- 最大256万回プログラム/消去回数の耐久性
- データ保持期間:25年
- 動作温度:最大+125°C
- オンチップハードウェアエラー訂正コード(ECC)
- eXecute-in-Place(XiP)
利点
- 最大400MB/秒のリードスループットとXiPを備えたインスタントブートを実現
- 過酷な使用条件下でも最大25年間データを確実に保存
- 広範なチップセットパートナーのエコシステムからの一般的なSoCとのペアリング
- セーフブートとエラーチェックにより、安全で信頼性の高い動作を保証
- SEMPER™ソリューションハブSDKで市場投入までの時間を短縮
- 10年以上の製品供給と長寿命を保証
| 製品ファミリ | 密度 | インターフェース | 電圧 | 速度 | 対象アプリケーション |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMPER™ NORフラッシュ | 256Mb - 4Gb | QSPI、オクタルxSPI、HYPERBUS™ | 1.8V、3.0V | 最大400MB/秒 | ロボティクス、産業用オートメーションおよびドライブ、車載用ADAS セーフティクリティカルな動作、高速、高速ブート |
| SEMPER™セキュアNORフラッシュ | 128Mb - 256Mb | 1.8V、3.0V | 最大400MB/秒 | ネットワーク、監視、スマートファクトリ、データセンター セキュアブートとストレージ、セキュアなエンドツーエンド移行 | |
| SEMPER™ Nano | 256Mb | QSPI | 1.8V | 最大52MB/秒 | ヒアラブル、ウェアラブル、スマートセンス、ポータブル医療 小型、信頼性、低電力、内蔵ECC |
| HYPERFLASH™ | 128Mb - 512Mb | HYPERBUS™ | 1.8V、3.0V | 最大333MB/秒 | 産業用HMI、デジタルディスプレイ、車載用計器クラスタ インスタントオン、画像およびグラフィックスストレージ |
| 標準シリアルNORフラッシュ | 64Mb - 1Gb | QSPI、デュアルQSPI | 1.8V、3.0V | 最大204MB/秒 | 産業用、コンピュータ、通信および車載用 信頼性の高いブートコードとデータ保持 |
| 標準パラレルNORフラッシュ | 64Mb - 2Gb | 16/8ビットページモード | 3.0V | 最小70ns/15ns | 産業用、医療用、航空宇宙と防衛 信頼性の高いブートコードとデータストレージ |
F-RAM
F-RAM(強誘電体ランダムアクセスメモリまたはFeRAM)とは、設計者が、電源の遮断時に、重要なデータを即座に捕捉して保存できるようにするスタンドアロン不揮発性メモリです。継続的で低電力のデータロギングを必要とするミッションクリティカルなアプリケーションに最適です。小型フォームファクタで利用可能なF-RAMは、信頼性、性能、およびエネルギー効率に妥協することなく、遅延ゼロの書き込み、事実上無制限の耐久性、および磁気干渉に対する完全な耐性を提供します。
Infineonの次世代EXCELON™ F-RAMファミリは、業界最小の静止電流と、高速の低ピンカウントのインターフェース、瞬時の不揮発性、無制限の読み出し/書き込みサイクル耐久性を組み合わせることで、高い信頼性と超低消費電力を保証します。
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主な機能
- 4Kb~16Mb(最大)の不揮発性ストレージ
- 高性能シリアルおよびパラレルインターフェース
- バス速度でメモリセルにデータを書き込む遅延のない書き込み
- 1014(100兆)サイクル以上の読み書き耐久性
- +85°Cで10年以上のデータ保持
- 動作温度:最大+125°C
- 磁気フィールド干渉および放射線への耐性
利点
- 電力損失で即座にシステムデータをキャプチャ
- システム寿命を通じて継続的にデータを記録
- 過酷な産業用および車載用環境でも確実に動作
- EEPROMの200分の1、およびNORフラッシュの3,000分の1のエネルギー消費量
- ウェアレベリングファームウェアのオーバーヘッドなしでシステム設計を簡素化
- 10年以上の製品供給と長寿命を保証
| 製品ファミリ | 密度 | インターフェース | 電圧 | 速度 | 対象アプリケーション |
|---|---|---|---|---|---|
| EXCELON™ Ultra F-RAM | 2Mb - 16Mb | QSPI | 1.8V、3.0V | 最大108MHz | 産業用オートメーションとドライブ、エンタープライズサーバとRAIDストレージ、ロボティクス |
| EXCELON™ Auto F-RAM | 1Mb - 16Mb | SPI、QSPI | 1.8V、3.0V | 最大108MHz | 車載用EDR、前方カメラ、ADAS、インフォテイメント、バッテリ管理システム |
| EXCELON™ LP F-RAM | 2Mb - 16Mb | SPI | 1.8V、3.3V | 最大50MHz | スマートメータ、スマートヘルスケア、ウェアラブル、IoT センサ、ソーラーインバータ、MFP |
| 標準F-RAM | 4Kb - 4Mb | I²C、SPI、パラレル(x8、x16) | 3.3V、5.0V | 最大40MHz、最小60ns | 産業用オートメーションとドライブ、スマートメータ、自動車、ソーラーインバータ、エネルギー蓄積 |
nvSRAM
nvSRAM(不揮発性SRAM)はスタンドアロンの不揮発性メモリで、電源が遮断されたときにシステムデータのコピーを瞬時に不揮発性メモリに取り込んで保存し、再開時にデータを呼び出すことができます。InfineonのnvSRAMは、業界をリードするSRAM技術とクラス最高のSONOS不揮発性メモリ技術を組み合わせ、バックアップ電池やシステム内の大型スーパーキャパシタを不要にする、信頼性の高い高性能データロギングメモリの包括的ポートフォリオを提供します。
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主な機能
- 64Kb~16MB(最大)の不揮発性ストレージ
- 高性能シリアルおよびパラレルインターフェース
- 最速アクセス時間20nsのパラレルインターフェースソリューション
- SRAMアレイの無限の読み取り/書き込み耐久性
- +85 °Cで20年以上のデータ保持
- オプションのリアルタイムクロック(RTC)
- 磁気フィールド干渉および放射線への耐性
利点
- 電力損失で即座にシステムデータをキャプチャ
- システム寿命を通じて継続的にデータを記録
- 過酷な産業用および車載用環境でも確実に動作
- バッテリや大型スーパーキャパシタが不要
- ウェアレベリングファームウェアのオーバーヘッドなしでシステム設計を簡素化
- 10年以上の製品供給と長寿命を保証
| 製品ファミリ | 密度 | インターフェース | 電圧 | 速度 | 対象アプリケーション |
|---|---|---|---|---|---|
| パラレルnvSRAM | 256Kb - 16Mb | パラレル(x8、x16、x32) | 3.0V、デュアル3.0V&1.8V I/O | 最小20ns | 産業用オートメーションとドライブ、ネットワーキング、カジノゲーム機 |
| シリアルnvSRAM | 64Kb - 1Mb | I²C、SPI、QSPI | 3.0V、5.0V、デュアル3.0V&1.8V I/O | 最大104MHz | ネットワーク、監視、スマートファクトリ、データセンター セキュアブートとストレージ、セキュアなエンドツーエンド移行 |
SRAM
SRAM(スタティックRAM)はスタンドアロンのランダムアクセスメモリで、アプリケーションに簡単にRAMを追加する方法を設計者に提供します。DRAMとは異なり、SRAMは定期的にリフレッシュする必要がないため、バッファやキャッシュメモリアプリケーションにおいて、より高速で、エネルギー効率の高い、詳細な表示が可能な信頼性の高いものとなります。Infineonは、業界で最も広範な非同期および同期SRAMのポートフォリオを提供し、安定した製品供給と長期的なサポートをお約束します。
Infineonの最新世代の65nm SRAMは、オンチップハードウェアECC(エラー訂正符号)を搭載しており、ソフトエラーレート(SER)性能の大幅な向上を実現し、0.1FIT/Mb以下を達成しています。
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主な機能
- 非同期および同期SRAMの幅広いポートフォリオ
- アクセス時間10nsの高性能非同期バス
- QDR™-IV同期SRAMを使用し、最大1,066MHzの速度を実現
- 超低スタンバイ電流(8Mbでは最大6.5µA)
- オンチップハードウエアECC
- レガシーSRAM製品との互換性
利点
- バッテリバックアップデータキャプチャのユースケースでバッテリ寿命を最大化
- リアルタイムのデータアクセスのためのメモリ帯域幅の増加
- 最大2,132MT/秒のランダムトランザクションレートを実現(QDR™-IV)
- 0.1FIT/Mb以下のSER性能でデータの信頼性を確保
- 10年以上の製品供給と長寿命を保証
| 製品ファミリ | 密度 | インターフェース | 電圧 | 速度 | 対象アプリケーション |
|---|---|---|---|---|---|
| MoBL™ 非同期SRAM | 256Kb - 64Mb | パラレル(x8、x16、x32) | 1.8V、3.0V、5.0V | 最小45ns | 産業用オートメーションとドライブ、ネットワーキング、カジノゲーム機、インスリンポンプ |
| 高速非同期SRAM | 256Kb - 32Mb | パラレル(x8、x16、x32) | 1.8V、3.0V、5.0V | 最小10ns | 産業用オートメーション、ネットワーキング、エンタープライズサーバ、航空宇宙および防衛 |
| 同期SRAM | 4Mb - 144Mb | パラレル(x18、x36、x72) | 1.3V、1.8V、2.5V、3.3V | 最大2,132MT/秒 | ネットワーキング、画像処理、医療用計測器、エンタープライズサーバ、航空宇宙および防衛 |
pSRAM
Infineonは、64Mb~512Mbの集積度を持つHYPERRAM™/オクタルxSPI擬似スタティックRAM(pSRAM)メモリの包括的なポートフォリオを提供しています。高帯域幅と低ピンカウントインターフェースのユニークなブレンドにより、HYPERRAM™は、データ、オーディオ、画像、ビデオのバッファリングや、数学およびデータ集約型演算のスクラッチパッドとして追加のRAMを必要とする幅広い産業用および車載用アプリケーションに最適です。これらのエネルギー効率の高いpSRAMは、バッテリ駆動の民生用デバイスやウェアラブルデバイスにとっても理想的な拡張メモリの選択肢です。
InfineonのHYPERRAM™は、HYPERBUS™と呼ばれる低信号カウントのDDRインターフェースで動作し、SDR DRAMのような競合技術と比較して、プロセッサピン当たりの高速読み出しおよび書き込みスループットを達成します。
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主な機能
- 64MB~512MBまでのスケーラブルな密度オプション
- ピン数の少ないHYPERBUS™またはオクタルxSPIバス
- 小型フォームファクタ:6mm x 8mm
- 動作周波数最大200MHz DDR
- エネルギー効率の高いハイブリッドスリープモード
- 動作温度:最大+125°C
利点
- 高速バッファリングにより最大800MB/秒のデータスループットを実現
- 競合する拡張RAMより少ないプロセッサピンの消費量
- 小型48mm2フォームファクタにより基板スペースを節約
- 広範なチップセットパートナーのエコシステムからのHYPERBUS™対応SoCとのペアリング
- 10年以上の製品供給と長寿命を保証
| 製品ファミリ | 密度 | インターフェース | 電圧 | 速度 | 対象アプリケーション |
|---|---|---|---|---|---|
| HYPERRAM™ 2.0 | 64Mb - 512Gb | HYPERBUS™ オクタルxSPI |
1.8V、3.0V | 最大400MB/秒 | ウェアラブル、IoTデバイス、HMIディスプレイ、産業用マシンビジョン、車載用機器クラスタ |
| HYPERRAM™ 3.0 | 256Mb | HYPERBUS™ x16 拡張I/O |
1.8V | 最大800MB/秒 | 産業用マシンビジョンカメラ、IoTデバイス、車載用V2X |