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組み込みシステム用高性能メモリ

Cypress Semiconductorのロゴ

Cypressは、ディスクリートメモリ半導体業界で35年に渡り指導的役割を果たしています。 Cypressは、1982年に初めてランダムアクセスメモリを発表して以来、世界中のお客様に最高のメモリを提供しながらその伝統を築き上げてきました。 現在Cypressは、お客様に最高の性能と信頼性を誇るNORフラッシュ、NANDフラッシュ、SRAM、nvSRAM、F-RAMを提供しており、メモリ密度の範囲は4Kビットから1Gビットに及びます。 比類のない品質と製品供給への努力に加え、新しいメモリ製品への将来に向けた強力な投資計画を持っているCypressは、今後の数十年間もディスクリートメモリ半導体業界のリーダーであり続けると思われます。

  NORフラッシュ HyperBusメモリ NANDフラッシュ
シリアルNORフラッシュ パラレルNORフラッシュ
特長 高性能でピン数の少ないクワッドSPI

最高の性能

高速なランダムアクセスと広い帯域幅

最高の性能と少ないピン数

HyperBusベースのフラッシュとDRAM

信頼性、高密度、確実性
密度 16Mbit~1Gbit 8Mbit~2Gbit 64Mbit~512Mbit 1Gb~16Gb
電圧 1.8V~3.0V 1.8V~3.0V 1.8V~3.0V 1.8V~3.0V
パッケージ
  F-RAM nvSRAM 非同期SRAM 同期SRAM
特長 高いエネルギー効率、信頼性、速度、耐久性 20ns未満の高速アクセス、読み書き回数無制限の耐久性 高速アクセス(10ns)、低スタンバイ電流、高信頼性 最大 2132MT/sのRTR、FITレート(0.01FIT/Mb未満)、およびECC
密度 4Kb~4Mb 64Kb~16Mb 256Kb~64Mb 2Mb~144Mb
電圧 3.0V~5.0V 3.0V(3.0V/1.8V I/O)、および5.0V 1.8V、3.0V、および5.0V 1.3V、1.8V、3.3V、および5.0V
パッケージ

NORフラッシュ

NORフラッシュの画像

Cypressは、3.0Vおよび1.8Vの電圧と、8Mb〜2GBの密度にまたがる、HyperFlash™、シリアルNOR、およびパラレルNORを含む広範なフラッシュメモリソリューションを提供しています。

  • HyperFlashは、パラレルNORフラッシュの3分の1のピン数で、通常のクワッドSPIフラッシュよりも5倍以上速い最大333MB/sの帯域幅を提供します。
  • シリアルNORフラッシュは、FL-S(3.0V)およびFS-S(1.8V)のファミリで、最大1Gbまでの密度向けに低ピン数のインターフェースを提供します。
  • パラレルNORフラッシュは、最大2Gbの密度まで、信頼性の高い多種多様なパラレルインターフェース製品を提供しています。

同社のすべての製品は、世界クラスの品質とサポートで補完されています。 同社のNORフラッシュポートフォリオには、拡張温度範囲(-40°C〜+125℃)、AEC-Q100車載用認定、および自動車顧客向けPPAPをサポートする多くのデバイスが含まれています。 Cypressは、NORフラッシュデバイス向けに10年間のコア機能の互換性のセットを提供する長寿プログラムで、長い製品ライフサイクルをサポートすることを表明しています。

ファミリ 主な特長 密度  
HyperFlash
  • 最大333MB/sの読み出し帯域幅
  • 小型の48mm2 24ボールパッケージ
  • 低ピン数の12ピンHyperBus™インターフェース
128Mb〜512Mb HyperFlash製品ページ
シリアルNOR
  • 3.0Vおよび1.8VのクワッドSPI
    NORフラッシュメモリの広範なポートフォリオ
  • 133MHz SDR/80MHz DDRの動作周波数
  • 最大80MB/sの読み出し帯域幅
16Mb〜1Gb シリアルNOR製品ページ
パラレルNOR
  • 55〜110nsの初期アクセス時間
  • 15nsの高速なページアクセス時間
  • 最大102MB/sの読み出し帯域幅
8Mb〜2Gb パラレルNOR製品ページ

NANDフラッシュ

NANDフラッシュの画像

CypressのNAND製品は、Cypressのフラッシュ製品ラインに信頼性の高い、高密度データストレージを追加します。 Cypressは、SLC NAND製品のラインアップに、認証、試験、拡張温度サポートとパッケージングのための厳格なプロセスを適用します。

Cypressの高性能、高信頼性SLC NAND製品ポートフォリオには、1ビットと4ビットのECCオプションをサポートする2つの標準製品ファミリが含まれています。 これらは、1Gb〜16Gbの密度で入手可能です。 Cypressは、最大+105℃までの動作温度、スモールフォームファクタに適合するコンパクトなパッケージを備えたSLC NAND製品を提供し、自動車アプリケーション用AEC-Q100を含む厳格な品質基準を満たしています。

同社のすべてのNANDフラッシュメモリ製品は、車載用計器クラスタおよびインフォテインメントシステム、通信機器、コンシューマーエレクトロニクスや産業オートメーションにおけるデータストレージ向けを、特に目的としています。

SLC NAND製品ハイライト

  • 密度:1Gb~16Gb
  • 電圧:3Vおよび1.8Vのオプション
  • 耐久性:100,000P/Eサイクル(標準)
  • データ保持:10年間(標準)
  • ECC要件:1ビットまたは4ビットのオプション
  • バス幅:x8またはx16のオプション
  • 温度:
    • 産業用温度範囲(-40°C〜85°C)
    • 産業用拡張温度範囲(-40°C〜105°C)
  • パッケージ:
    • 48ピンTSOP 12mm x 20mm
    • 63ボールBGA 9mm x 11mm
    • 67ボールBGA 8 mm x 6.5 mm
  • オープンNANDフラッシュインターフェース(ONFI)1.0準拠
  • AEC-Q100認定
  • 補完的なドライバおよびCypressのフラッシュファイルシステム(FFS)や、各製品の最新のデータシートは製品タブにあります。
ファミリ 電圧 インターフェース 密度  
MS-1 SLC NAND 1.8V VCC X8またはX16 I/O 1Gb~4Gb MS-1 SLC NAND製品ページ
MS-2 SLC NAND 1.8V VCC X8またはX16 I/O 1Gb~16Gb MS-2 SLC NAND製品ページ
ML-1 SLC NAND 3.3V VCC X8 I/O 1Gb~8Gb ML-1 SLC NAND製品ページ
ML-2 SLC NAND 3.3V VCC X8 I/O 1Gb~16Gb ML-2 SLC NAND製品ページ

同期SRAM

CY56701の画像

Cypressは、同期SRAMの世界的なマーケットリーダーです。 Cypressは、様々なスピード、ワード幅、密度、およびパッケージを備えた、標準同期SRAM、バス遅延なしSRAM、およびQDR® SRAMを含む広範なポートフォリオを提供しています。 一流メーカーとして、Cypressはクラス最高の製造および顧客サポートでその製品を補完します。

エンタープライズルータやスイッチなどの高性能システムは、高いランダムアクセスメモリの性能を要求します。 CypressのQDR® SRAMは、次世代ネットワークやその他の高性能システムを有効にするために、高いランダムアクセス性能向けに最適化されています。

QDRコンソーシアムは、クワッドデータレートSRAMの仕様を定義します。 参加企業は、ピンおよび機能互換性のある製品を開発し、お客様のために複数のソースを確保しています。 創設メンバーとして、CypressはQDRコンソーシアムの新しい標準の定義をリードしています。

ランダムトランザクションレート(RTR)

ランダムトランザクションレート(RTR)は、メモリが毎秒実行することができる、完全にランダムな読み取りまたは書き込みトランザクションの数です。 これはMT/s、またはメガトランザクション/秒で測定されます。 RTRは、メモリへのアクセス予測が可能でないネットワーキングなどの、高性能アプリケーションでの重要なメトリックです。

Cypressの同期SRAMロードマップは、ここをクリックします。
ファミリ 速度(最大) RTR(最大) 密度範囲  
QDR-IV 1066MHz 2132MT/s 72~144Mb QDR-IV製品ページ
QDR-II+/DDR-II+ Xtreme 633MHz 900MT/s 36~72Mb QDR-II+/DDR-II+ Xtreme製品ページ
QDR-II+/DDR-II+ 550MHz 666MT/s 18~144Mb QDR-II+/DDR-II+製品ページ
QDR-II/DDR-II 333MHz 666MT/s 18~144Mb QDR-II/DDR-II製品ページ
NoBL(バス遅延なし) 250MHz 250MT/s 4~72Mb NoBL製品ページ
標準同期 250MHz N/A 2~72Mb 標準同期製品ページ

非同期SRAM

CY5674の画像

Cypressは、非同期SRAM空間におけるマーケットリーダーで、高速非同期および低電力非同期SRAM(MoBL®)デバイスの広範なポートフォリオを提供しています。 非同期SRAMは、信頼性と性能の最も高い基準を必要とする、多種多様な産業、医療、商業、自動車、軍事アプリケーションで使用されています。 クラス最高のプロセス技術と製造、不動の顧客サポートと高品質の設計は、Cypressの非同期SRAMデバイスが期待を満たし、上回ることを確実にします。 Cypressは、いくつかのメーカーがこの空間から撤退していても、新しくて革新的な製品を作成するためにSRAM技術への投資を続けています。

最新世代はECCを備えた非同期SRAMを提供します。 入手可能な製品は:

ECC付き高速およびマイクロパワー(MoBL®)SRAM

ECC付き高速およびマイクロパワー(MoBL®)SRAMは、旧式の技術ノードに基づく既存の非同期SRAMデバイスと、フォームフィットファンクション互換です。 これにより、PCBの再設計に投資することなくシステムの信頼性を向上することができます。

PowerSnooze™を備えた高速SRAM

新しい高速SRAMは、高速SRAMの10nsのアクセス時間をMoBL®ファミリと同等の低待機電力と組み合わせます。 PowerSnoozeは追加の省電力ディープスリープモードで、16MbのSRAM用に12uA(標準)のディープスリープ電流を実現します。 PowerSnoozeを備えた16Mbの高速SRAMはまた、製品の信頼性を向上させるオンチップECCを提供します。

ECCを備えた非同期SRAMの詳細は、ここをクリックします。
Cypressの非同期SRAMロードマップは、ここをクリックします。
ファミリ ECCが入手可能 アクセス時間 密度範囲  
高速SRAM あり 10ns、12ns、15ns 64Kb~32Mb 高速SRAM製品ページ
MoBL あり 45ns、55ns 64Kb~64Mb MoBL製品ページ

不揮発性RAM

不揮発性RAMの画像

Cypress Semiconductorは、不揮発性RAMの製品の世界的なリーダーです。 Cypressは、市場で最も広範な不揮発性RAMのポートフォリオを持っており、25年の経験で、現在までに10億以上のデバイスを出荷しています。 不揮発性RAMは、任意のアドレスへの高速読み出しと書き込みアクセスを提供するメモリで、電源が中断されたときにデータを保持します。

Cypressは、nvSRAM(不揮発性SRAM)とF-RAM(強誘電体RAM)の2種類の不揮発性RAMを持っています。 これらの製品は従来の不揮発性メモリに対して、高速、高耐久性、および低エネルギーの3つの明確な利点を持っています。

さらに、Cypressは、リアルタイムクロックおよび早期パワーフェイル警告などの統合機能を備えた不揮発性RAMdeある、プロセッサコンパニオンを提供しています。

Cypressの不揮発性RAMは、計量、産業オートメーション、ポータブル医療機器、自動車エレクトロニクスなど多くのアプリケーションで重要な価値を提供します。

Cypressの不揮発性RAMロードマップは、ここをクリックします。
ファミリ インターフェース アクセスタイムまたはインターフェース速度 密度範囲  
F-RAM SPI 40MHz 4Kb~4Mb F-RAM SPI製品ページ
I²C 1、3.4MHz 4Kb~1Mb F-RAM I²C製品ページ
パラレル 55、60、70ns 64Kb~4Mb F-RAMパラレル製品ページ
nvSRAM SPI/QSPI 40MHz/108MHz 64Kb~1Mb nvSRAM SPI製品ページ
I²C 3.4MHz 64Kb~1Mb nvSRAM I²C製品ページ
パラレル 25、30、35、45、55ns 64Kb~16Mb nvSRAMパラレル製品ページ

スペシャリティRAM

Cypressは、ビデオ、データおよび電気通信、そしてネットワークスイッチング/ルーティングを含む様々な市場向けの、フロー制御、レートマッチング、およびバスマッチングなどの相互接続問題への最適なソリューションを供給する、従来のFIFO製品を提供しています。

Cypressはまた、従来のマルチポートメモリソリューションを提供し、業界で最高性能の相互接続ソリューションを提供しています。 Cypressは、非同期および同期デュアルポート、クアッドポート、およびフルフレックスデュアルポートSRAMの300以上の種類の幅広い製品ポートフォリオを提供しています。

ファミリ 密度範囲  
FIFO 2Kb~72Mb FIFO製品ページ
同期式デュアルポートSRAM 64Kb~36Mb 同期式デュアルポートSRAM製品ページ
非同期式デュアルポートSRAM 8Kb~1Mb 非同期式デュアルポートSRAM製品ページ