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シリコンカーバイドNチャンネルMOSFET
Central Semiconductorの高性能1700V SiC MOSFETは、効率的で信頼性の高いEVおよびパワーエレクトロニクスアプリケーション向けに最適化
Central SemiconductorのNチャンネルシリコンカーバイドMOSFETは、高速スイッチングおよび高速逆回復アプリケーション向けに設計されています。
特長
- 超低オン抵抗により伝導損失を最小限に抑え、エネルギー効率を向上
- 高速で周波数に敏感なスイッチング用の低入力静電容量
- 動作接合部が最大+175°Cまでの優れた熱安定性を実現
- 1,700Vの高ブロッキング電圧をTO-247パッケージで実現、多用途の電源およびバッテリシステムアプリケーションに対応
- 効率的でコスト効率の高いEVパワーエレクトロニクス向けに最適化
応用
- EV充電
Silicon Carbide N-Channel MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | CDMS24720-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 30 - 即時 | $14,147.00 | 詳細を表示 |
| | CDMS24740-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 29 - 即時 | $5,707.00 | 詳細を表示 |
| | CDMS24780-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 0 - 即時 | $4,325.00 | 詳細を表示 |
| | CDMS24760-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 0 - 即時 | $4,939.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2025-11-19
日本