AEM Central Semiconductor

窒化ガリウムNチャンネルFET

Central SemiconductorのFETは、高効率基準のソフトスイッチングアプリケーション向けに設計

「窒化ガリウム（GaN）NチャンネルFET」の画像Central SemiconductorのGaN NチャンネルFETは、高電圧機能と低RDS(ON)を兼ね備えており、高効率基準のソフトスイッチングアプリケーション向けに設計されています。省スペースのDFNおよびチップスケールパッケージは、高電力ワイヤレス充電、力率補正（PFC）、電気自動車用インバータへの応用に最適です。これらのGaN FETは、60Aをサポートする100Vモデル、または11Aまたは17Aをサポートする650Vモデルで提供されます。40Vオプションは20Aまたは50Aをサポートしており、ベアダイはご要望に応じて入手可能です。

特長

  • 高電圧対応
  • 低ゲート電荷
  • 3.2mΩと低いRDS(ON)
  • 効率的な高速スイッチング

Gallium Nitride (GaN) N-Channel FETs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6511N TR13 PBFREE650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN2242 - 即時$797.00詳細を表示
650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6517N TR13 PBFREE650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN2498 - 即時$912.00詳細を表示
100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALECCSPG1060N TR PBFREE100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALE1429 - 即時$907.00詳細を表示
刊行： 2023-12-19