CEL California Eastern Labs

高性能レシーバ向けKuおよびKバンド低ノイズGaAs LNFET

CELのKuおよびKバンド低ノイズGaAs LNFETは、Renesasの段階的廃止デバイスのドロップイン代替品として低コスト化を実現

「CELの高性能レシーバ向けKuおよびKバンド低ノイズGaAs LNFET」の画像VSATやマイクロ波などの通信システムで低ノイズおよび高周波性能を求めるユーザーにとって、CELのKuおよびKバンド低ノイズGaAs LNFETは最適な選択肢です。これらの製品は、24GHzまでの周波数で動作する高性能レシーバに適しており、低NFと高ゲインを提供し、コスト効率の良いMicro-XプラスチックおよびSMDパッケージで提供されます。

特長
  • 高ゲイン、低ノイズ
  • 他のpHEMTよりも優れたRF性能
  • コスト削減を可能にする超低価格プラスチックパッケージ
  • 高品質およびパッケージングテスト
  • Renesasの段階的廃止デバイスのドロップイン代替品
応用
  • VSATシステム
  • DBS/LNB
  • マイクロ波システム
  • 動体感知器
  • 交通監視
  • 衝突防止
  • 存在検出

pHEMTs

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RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLDCE3514M4-C2RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD32662 - 即時$219.00詳細を表示
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROXCE3512K2-C1RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX26675 - 即時$282.00詳細を表示
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLDCE3521M4-C2RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD1066 - 即時$318.00詳細を表示
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROXCE3520K3-C1RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX10111 - 即時$385.00詳細を表示
RF MOSFET PHEMT FET 4V 4SUPMINCA3509M4-C2BRF MOSFET PHEMT FET 4V 4SUPMIN4466 - 即時$332.00詳細を表示
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROXCE3512K2RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX526 - 即時$365.00詳細を表示
RF MOSFET PHEMT FET 4V 4SUPMINCA3509M4RF MOSFET PHEMT FET 4V 4SUPMIN259 - 即時$418.00詳細を表示
RF MOSFET 2V 4MINIMOLDCE7613M4RF MOSFET 2V 4MINIMOLD320 - 即時$262.00詳細を表示
RF MOSFET 2V 4MINIMOLDCE7613M4-C2RF MOSFET 2V 4MINIMOLD0 - 即時$88.51詳細を表示
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RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLDCE3521M4RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD0 - 即時$230.79詳細を表示

Eval Board

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EVAL BOARD - TUNED FOR 2.33GHZCA3509M4-EV23EVAL BOARD - TUNED FOR 2.33GHZ0 - 即時$16,587.00詳細を表示
EVAL BOARD - TUNED FOR 1.57GHZCA3509M4-EV15EVAL BOARD - TUNED FOR 1.57GHZ0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
刊行： 2024-01-31

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