SiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオード(SBD) - BSDシリーズ
Bournsの高周波・大電流アプリケーション用SiCショットキーバリアダイオードは、優れた熱性能を提供
BournsのBSDシリーズ SiC SBDは、ピーク順方向サージ能力の向上、順方向電圧降下の低減、熱抵抗の低減、電力損失の低減を必要とする高周波・大電流アプリケーション向けに設計されています。この先進的なワイドバンドギャップコンポーネントは、DC/DCおよびAC/DCコンバータ、スイッチトモード電源(SMPS)、太陽光発電インバータ、モータドライブ、その他の整流設計などのアプリケーションで、信頼性、スイッチング性能、効率の向上に役立つ理想的な電力変換ソリューションです。
BSDモデルは、6A~10Aの電流範囲で650V~1200Vの電圧動作を提供するほか、EMIを低減する逆回復電流がないため、これらのSiC SBDはエネルギー損失を大幅に低減し、効率をさらに高めることができます。TO220-2、TO247-3、TO252、DFN8x8を含むさまざまな順方向電圧、電流、およびパッケージオプションとともに、優れた熱性能と高電力密度を提供する6つのBSDモデルは、設計者にアプリケーション仕様に適合するために必要な高い電力密度を提供すると同時に、最先端の小型パワーエレクトロニクスの開発を支援します。
Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) – BSD Series
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | BSDD06G65E2 | DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252 | 4951 - 即時 | $507.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | BSDH10G120E2 | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 | 2575 - 即時 | $1,090.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | BSDH10G65E2 | DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220 | 2871 - 即時 | $671.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | BSDL10S65E6 | DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN | 2677 - 即時 | $761.00 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | BSDW20G120C2 | DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247 | 0 - 即時 | $789.38 | 詳細を表示 |
![]() | ![]() | BSDD08G65E2 | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252 | 5000 - 即時 | $627.00 | 詳細を表示 |





