HMC1126 GaAs、pHEMT、低ノイズアンプ

ADIのHMC1126ACEZは、ガリウムヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度転送（pHEMT）、モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）の分布型パワーアンプで、動作範囲は2GHz～50GHzです。HMC1126ACEZアンプの入力/出力は、内部で50Ωに整合されているため、マルチチップモジュール（MCM）への組み込みが容易です。すべてのデータは、チップを最短0.31mm（12ミル）の2本の0.025mm（1ミル）ワイヤボンドで接続して測定したものです。

HMC1126-EVALZは、HMC1126ACEZの評価用4層プリント回路基板（PCB）です。最上層と最初の内部層間の基板は12ミルの厚さで、Rogers 4003Cで作られています。HMC1126-EVALZのRFINおよびRFOUTポートには、1.85mmメス同軸コネクタが装着されており、それぞれのRFパターンの特性インピーダンスは50Ωです。HMC1126-EVALZには、HMC1126ACEZの動作温度-40°C～+85°Cの全範囲での使用に適した部品が搭載されています。