Alliance Memory, Inc.

高速モバイルDDR SDRAM

Alliance Memoryは、AS4CxxMxxMD1高速モバイルCMOSダブルデータレート同期DRAMを発売

Alliance MemoryのAS4C16M16MD1/32M16MD1/16M32MD1/64M16MD1高速モバイルDDR SDRAMの画像Alliance Memoryの高速モバイルCMOSダブルデータレート同期DRAM（DDR SDRAM）は、小型のポータブルデバイスで効率を向上し、電池寿命を延長するように設計されています。1.7V～1.95Vの低消費電力と、多くの省電力機能を備えた256MB、512MB、1GB、および2GBのこれらのデバイスは、8mm x 9mm 60ボールおよび8mm x 13mm 90ボールFPBGAパッケージで提供されます。AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1、およびAS4C64M32MD1は、高帯域幅の高性能メモリシステムアプリケーションにおいて多くの類似のソリューションの信頼性の高いドロップイン、ピン対ピン互換性のある置き換え品を提供します。

特長および利点
  • 1.7V～1.95Vの低消費電力
  • 省電力機能
    • 自動温度補償された自己リフレッシュ（ATCSR）
    • パーシャルアレイ自己リフレッシュ（PASR）
    • ディープパワーダウン（DPD）モード
  • 166MHzおよび200MHzの高速クロックレート向けのダブルデータレートアーキテクチャ
  • 各デバイスは、拡張（-30°C～+85°C）および産業（-40°C～+85°C）温度範囲で入手可能
  • 16M x 16ビットおよび32ビット、32Mおよび64M x 16ビット、および32Mおよび64M x 32ビットの4バンクとして内部的に構成
  • 8mm x 9mm 60ボールおよび8mm x 13mm 90ボールFPBGAパッケージで提供
  • 完全同期動作
  • 2、4、8、または16のプログラム可能な読み取りまたは書き込みバースト長
  • 自動プリチャージ機能がバーストシーケンスの最後で開始する自己タイミング型の行プリチャージを提供
  • 使いやすいリフレッシュ機能には、自動または自己リフレッシュあり
  • RoHS対応
  • 鉛（Pb）およびハロゲンフリー

High-Speed Mobile DDR SDRAMs

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量料金詳細を表示
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAAS4C64M16MD1-6BINIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGAAS4C16M16MD1-6BCNIC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGAAS4C64M32MD1-5BCNIC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA75 - 即時$3,624.00詳細を表示
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGAAS4C32M32MD1-5BCNIC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAAS4C32M16MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAAS4C64M16MD1-6BCNIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGAAS4C16M32MD1-5BCNIC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA0 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
刊行： 2016-02-24

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