高速DDR3およびDDR3L SDRAM

Alliance Memoryの高速、CMOS、ダブルデータレート3同期式DRAM（DDR3 SDRAM）および低電力、DDR3L SDRAMは、78ボール、9mm × 10.5mm × 1.2mmおよび96ボール、9mm × 13mm × 1.2mmのFBGAパッケージに入った1GB、2GB、4GBおよび8Gの密度が特長です。DDR3（1.5 V）およびDDR3L（1.35 V）SDRAMは、チップ収縮を最小限に抑えて、新しい世代のマイクロプロセッサと組み合わせて使用される多数の同様のソリューションに対して、信頼性の高いドロップイン、ピン互換の置換えを提供し、 費用のかかる再設計と部品再認証の必要性を排除します。

特長

• 64M、128M、256M、512Mおよび1G × 8ビットおよび/または16ビットの8つのバンクとして内部的に構成
• 電源：
  
  • +1.5V（±0.075V）(AS4C64M16D3、AS4C128M8D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3、およびAS4C512M8D3 DDR3 SDRAM)
  • +1.35V（AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L、AS4C512M16D3LおよびAS4C1G8MD3L DDR3L SDRAM)
• 78ボールおよび96ボールのFBGAパッケージで提供
• ダブルデータレート3アーキテクチャで最大1600Mbps/ピンおよび800MHzのクロックレートの非常に高速の転送レート
• 強化された、共同、共存アルゴリズム
• 0℃~+95℃の業務用（拡張）温度範囲および、-40℃~+95℃の産業温度範囲の温度範囲で入手可能
• 完全同期式動作
• 4または8のプログラム可能な読み取りまたは書き込みバースト長
• 自動プリチャージ機能は、バーストシーケンスの終了時に開始される自己タイミング型行プリチャージを提供
• 使いやすいリフレッシュ機能には、自動または自己リフレッシュあり
• RoHS対応
• 鉛（Pb）およびハロゲンフリー
• プログラム可能なモードレジスタにより、性能を最大化するために最も適したモードをシステムが選択可能