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製品索引 > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル > Rohm Semiconductor SCT3105KRC14
SCT3105KRC14 Rohm Semiconductor | 846-SCT3105KRC14-ND DigiKey Electronics



SCT3105KRC14 Nチャンネル 1200V 24A（Tc） 134W スルーホール TO-247-4L
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数量 単価 金額
1 2,249.00000 ¥2,249
10 2,066.60000 ¥20,666
25 1,981.04000 ¥49,526
100 1,745.44000 ¥174,544
500 1,552.69800 ¥776,349
1,000 1,460.21700 ¥1,460,217

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SCT3105KRC14

データシート
Digi-Key品番 846-SCT3105KRC14-ND
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仕入先

Rohm Semiconductor

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メーカー品番 SCT3105KRC14
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商品概要 SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
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メーカーの標準リードタイム 17週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 1200V 24A（Tc） 134W スルーホール TO-247-4L

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客先参照品番（任意）
ドキュメントとメディア
データシート SCT3105KR
ハイライト製品 SiC Power MOSFETs
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ ディスクリート半導体製品
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
仕入先 Rohm Semiconductor
シリーズ -
パッケージング チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 24A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 137ミリオーム @ 7.6A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大） 5.6V @ 3.81mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 51nC @ 18V
Vgs（最大） +22V、-4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 574pF @ 800V
FET機能 -
電力散逸（最大） 134W
動作温度 175°C（TJ）
取り付けタイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
パッケージ/ケース TO-247-4
ベース品番 SCT3105
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル（MSL） 1（無制限）
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