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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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SCT3080KW7TL
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
SCT3080KW7TL Datasheet SCT3080KW7TL - Rohm Semiconductor 846-SCT3080KW7TLTR-ND SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 0 有り: 0
標準リードタイム17週間
¥1,387.79100 1,000 Minimum: 1,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200V 30A(Tc)
-
104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 60nC @ 18V +22V、-4V 785pF @ 800V
-
159W 175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 TO-263-8、D²Pak(7リード + タブ)、TO-263CA
SCT3080KW7TL Datasheet SCT3080KW7TL - Rohm Semiconductor 846-SCT3080KW7TLCT-ND SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 899 - 即時 有り: 899 ¥2,138.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200V 30A(Tc)
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104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 60nC @ 18V +22V、-4V 785pF @ 800V
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159W 175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 TO-263-8、D²Pak(7リード + タブ)、TO-263CA
SCT3080KW7TL Datasheet SCT3080KW7TL - Rohm Semiconductor 846-SCT3080KW7TLDKR-ND SCT3080KW7TL Rohm Semiconductor TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 899 - 即時 有り: 899 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200V 30A(Tc)
-
104ミリオーム @ 10A、18V 5.6V @ 5mA 60nC @ 18V +22V、-4V 785pF @ 800V
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159W 175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 TO-263-8、D²Pak(7リード + タブ)、TO-263CA
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13:54:42 10/22/2021