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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RV2C002UNT2L
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RV2C002UNT2L Datasheet RV2C002UNT2L - Rohm Semiconductor RV2C002UNT2LTR-ND RV2C002UNT2L MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 8,000 - 即時 有り: 8,000 ¥6.68488 8,000 Minimum: 8,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 180mA(Ta) 1.2V、4.5V 2オーム @ 150mA、4.5V 1V @ 100µA
-
±10V 12pF @ 10V
-
100mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 DFN1006-3(VML1006) SC-101、SOT-883
RV2C002UNT2L Datasheet RV2C002UNT2L - Rohm Semiconductor RV2C002UNT2LCT-ND RV2C002UNT2L MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 11,867 - 即時 有り: 11,867 ¥43.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 180mA(Ta) 1.2V、4.5V 2オーム @ 150mA、4.5V 1V @ 100µA
-
±10V 12pF @ 10V
-
100mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 DFN1006-3(VML1006) SC-101、SOT-883
RV2C002UNT2L Datasheet RV2C002UNT2L - Rohm Semiconductor RV2C002UNT2LDKR-ND RV2C002UNT2L MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 11,867 - 即時 有り: 11,867 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 180mA(Ta) 1.2V、4.5V 2オーム @ 150mA、4.5V 1V @ 100µA
-
±10V 12pF @ 10V
-
100mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 DFN1006-3(VML1006) SC-101、SOT-883
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