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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RUM002N05T2L
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RUM002N05T2L Datasheet RUM002N05T2L - Rohm Semiconductor RUM002N05T2LTR-ND RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT 72,000 - 即時 有り: 72,000 ¥6.69288 8,000 Minimum: 8,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50V 200mA(Ta) 1.2V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 1mA
-
±8V 25pF @ 10V
-
150mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 VMT3 SOT-723
RUM002N05T2L Datasheet RUM002N05T2L - Rohm Semiconductor RUM002N05T2LCT-ND RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT 75,487 - 即時 有り: 75,487 ¥38.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50V 200mA(Ta) 1.2V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 1mA
-
±8V 25pF @ 10V
-
150mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 VMT3 SOT-723
RUM002N05T2L Datasheet RUM002N05T2L - Rohm Semiconductor RUM002N05T2LDKR-ND RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT 75,487 - 即時 有り: 75,487 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50V 200mA(Ta) 1.2V、4.5V 2.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 1mA
-
±8V 25pF @ 10V
-
150mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 VMT3 SOT-723
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