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製品索引 > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RS1L145GNTB
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 消費電力(最大) 動作温度 実装タイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RS1L145GNTB Datasheet RS1L145GNTB - Rohm Semiconductor RS1L145GNTBTR-ND RS1L145GNTB RS1L145GN IS THE HIGH RELIABILIT 0 有り: 0
標準リードタイム16週間
¥95.71920 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 14.5A(Ta)、47A(Tc) 4.5V、10V 9.7ミリオーム @ 14.5A、10V 2.7V @ 200µA 37nC @ 10V ±20V 1880pF @ 30V
-
3W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSOP 8-PowerTDFN
RS1L145GNTB Datasheet RS1L145GNTB - Rohm Semiconductor RS1L145GNTBCT-ND RS1L145GNTB RS1L145GN IS THE HIGH RELIABILIT 2,380 - 即時 有り: 2,380 ¥208.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 14.5A(Ta)、47A(Tc) 4.5V、10V 9.7ミリオーム @ 14.5A、10V 2.7V @ 200µA 37nC @ 10V ±20V 1880pF @ 30V
-
3W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSOP 8-PowerTDFN
RS1L145GNTB Datasheet RS1L145GNTB - Rohm Semiconductor RS1L145GNTBDKR-ND RS1L145GNTB RS1L145GN IS THE HIGH RELIABILIT 2,380 - 即時 有り: 2,380 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 14.5A(Ta)、47A(Tc) 4.5V、10V 9.7ミリオーム @ 14.5A、10V 2.7V @ 200µA 37nC @ 10V ±20V 1880pF @ 30V
-
3W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSOP 8-PowerTDFN
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