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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RRH090P03TB1
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RRH090P03TB1 Datasheet RRH090P03TB1 - Rohm Semiconductor 846-RRH090P03TB1TR-ND RRH090P03TB1 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 0 有り: 0 ¥64.31920
-
テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
新規設計向けに不適合 Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 9A(Ta) 4V、10V 15.4ミリオーム @ 9A、10V 2.5V @ 1mA 30nC @ 5V ±20V 3000pF @ 10V
-
650mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-SOP 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
RRH090P03TB1 Datasheet RRH090P03TB1 - Rohm Semiconductor 846-RRH090P03TB1CT-ND RRH090P03TB1 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 2,346 - 即時 有り: 2,346 ¥148.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 9A(Ta) 4V、10V 15.4ミリオーム @ 9A、10V 2.5V @ 1mA 30nC @ 5V ±20V 3000pF @ 10V
-
650mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-SOP 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
RRH090P03TB1 Datasheet RRH090P03TB1 - Rohm Semiconductor 846-RRH090P03TB1DKR-ND RRH090P03TB1 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 2,346 - 即時 有り: 2,346 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
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アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 9A(Ta) 4V、10V 15.4ミリオーム @ 9A、10V 2.5V @ 1mA 30nC @ 5V ±20V 3000pF @ 10V
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650mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-SOP 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
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