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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RQ6E040XNTCR
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 消費電力(最大) 動作温度 実装タイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RQ6E040XNTCR Datasheet RQ6E040XNTCR - Rohm Semiconductor RQ6E040XNTCRTR-ND RQ6E040XNTCR RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN 3,000 - 即時 有り: 3,000 ¥19.46667 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4A(Ta) 4V、10V 50ミリオーム @ 4A、10V 2.5V @ 1mA 3.3nC @ 5V ±20V 180pF @ 10V
-
950mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 TSMT6 (SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
RQ6E040XNTCR Datasheet RQ6E040XNTCR - Rohm Semiconductor RQ6E040XNTCRCT-ND RQ6E040XNTCR RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN 3,000 - 即時 有り: 3,000 ¥57.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4A(Ta) 4V、10V 50ミリオーム @ 4A、10V 2.5V @ 1mA 3.3nC @ 5V ±20V 180pF @ 10V
-
950mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 TSMT6 (SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
RQ6E040XNTCR Datasheet RQ6E040XNTCR - Rohm Semiconductor RQ6E040XNTCRDKR-ND RQ6E040XNTCR RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN 3,000 - 即時 有り: 3,000 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4A(Ta) 4V、10V 50ミリオーム @ 4A、10V 2.5V @ 1mA 3.3nC @ 5V ±20V 180pF @ 10V
-
950mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 TSMT6 (SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
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