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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RQ6E030SPTR
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RQ6E030SPTR Datasheet RQ6E030SPTR - Rohm Semiconductor RQ6E030SPTR-ND RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 0 有り: 0
標準リードタイム16週間
¥26.36633 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 3A(Ta) 4V、10V 80ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 6nC @ 5V ±20V 440pF @ 10V
-
950mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 TSMT6(SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
RQ6E030SPTR Datasheet RQ6E030SPTR - Rohm Semiconductor RQ6E030SPCT-ND RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 2,802 - 即時 有り: 2,802 ¥74.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 3A(Ta) 4V、10V 80ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 6nC @ 5V ±20V 440pF @ 10V
-
950mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 TSMT6(SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
RQ6E030SPTR Datasheet RQ6E030SPTR - Rohm Semiconductor RQ6E030SPDKR-ND RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 2,802 - 即時 有り: 2,802 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 3A(Ta) 4V、10V 80ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 6nC @ 5V ±20V 440pF @ 10V
-
950mW(Ta) 150°C(TJ) 面実装 TSMT6(SC-95) SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
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