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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RQ3E080BNTB
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 消費電力(最大) 動作温度 実装タイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RQ3E080BNTB Datasheet RQ3E080BNTB - Rohm Semiconductor RQ3E080BNTBTR-ND RQ3E080BNTB MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 0 有り: 0
標準リードタイム16週間
¥12.64333 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 8A(Ta) 4.5V、10V 15.2ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 1mA 14.5nC @ 10V ±20V 660pF @ 15V
-
2W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
RQ3E080BNTB Datasheet RQ3E080BNTB - Rohm Semiconductor RQ3E080BNTBCT-ND RQ3E080BNTB MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 2,231 - 即時 有り: 2,231 ¥56.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 8A(Ta) 4.5V、10V 15.2ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 1mA 14.5nC @ 10V ±20V 660pF @ 15V
-
2W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
RQ3E080BNTB Datasheet RQ3E080BNTB - Rohm Semiconductor RQ3E080BNTBDKR-ND RQ3E080BNTB MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 2,231 - 即時 有り: 2,231 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 8A(Ta) 4.5V、10V 15.2ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 1mA 14.5nC @ 10V ±20V 660pF @ 15V
-
2W(Ta) 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3) 8-PowerVDFN
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