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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RD3P200SNTL1
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 消費電力(最大) 動作温度 実装タイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RD3P200SNTL1 Datasheet RD3P200SNTL1 - Rohm Semiconductor RD3P200SNTL1TR-ND RD3P200SNTL1 RD3P200SN IS A POWER MOSFET WITH 0 有り: 0
標準リードタイム16週間
¥97.68160 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 20A(Ta) 4V、10V 46ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V
-
20W(Tc) 150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
RD3P200SNTL1 Datasheet RD3P200SNTL1 - Rohm Semiconductor RD3P200SNTL1CT-ND RD3P200SNTL1 RD3P200SN IS A POWER MOSFET WITH 2,423 - 即時 有り: 2,423 ¥212.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 20A(Ta) 4V、10V 46ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V
-
20W(Tc) 150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
RD3P200SNTL1 Datasheet RD3P200SNTL1 - Rohm Semiconductor RD3P200SNTL1DKR-ND RD3P200SNTL1 RD3P200SN IS A POWER MOSFET WITH 2,423 - 即時 有り: 2,423 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 20A(Ta) 4V、10V 46ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V
-
20W(Tc) 150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
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05:58:51 2/24/2020