製品索引 > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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RD3P200SNFRATL
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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梱包形態 シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 消費電力(最大) 動作温度 実装タイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
RD3P200SNFRATL Datasheet RD3P200SNFRATL - Rohm Semiconductor RD3P200SNFRATLTR-ND RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F 0 有り: 0
標準リードタイム10週間
¥137.42080 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)?
梱包形態の種類
車載用、AEC-Q101 有効 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 20A(Ta) 4V、10V 46ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V
-
20W(Tc) 150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
RD3P200SNFRATL Datasheet RD3P200SNFRATL - Rohm Semiconductor RD3P200SNFRATLCT-ND RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F 2,410 - 即時 有り: 2,410 ¥298.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)?
梱包形態の種類
車載用、AEC-Q101 有効 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 20A(Ta) 4V、10V 46ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V
-
20W(Tc) 150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
RD3P200SNFRATL Datasheet RD3P200SNFRATL - Rohm Semiconductor RD3P200SNFRATLDKR-ND RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F 2,410 - 即時 有り: 2,410 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®?
梱包形態の種類
車載用、AEC-Q101 有効 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 20A(Ta) 4V、10V 46ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 2100pF @ 25V
-
20W(Tc) 150°C(TJ) 面実装 TO-252 TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
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04:34:16 6/20/2019