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トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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R6007JNJGTL
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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
R6007JNJGTL Datasheet R6007JNJGTL - Rohm Semiconductor R6007JNJGTLTR-ND R6007JNJGTL R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 1,000 - 即時 有り: 1,000 ¥125.19800 1,000 Minimum: 1,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 7A(Tc) 15V 780ミリオーム @ 3.5A、15V 7V @ 1mA 17.5nC @ 15V ±30V 475pF @ 100V
-
96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 LPTS TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
R6007JNJGTL Datasheet R6007JNJGTL - Rohm Semiconductor R6007JNJGTLCT-ND R6007JNJGTL R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 1,100 - 即時 有り: 1,100 ¥263.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 7A(Tc) 15V 780ミリオーム @ 3.5A、15V 7V @ 1mA 17.5nC @ 15V ±30V 475pF @ 100V
-
96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 LPTS TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
R6007JNJGTL Datasheet R6007JNJGTL - Rohm Semiconductor R6007JNJGTLDKR-ND R6007JNJGTL R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 1,100 - 即時 有り: 1,100 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 7A(Tc) 15V 780ミリオーム @ 3.5A、15V 7V @ 1mA 17.5nC @ 15V ±30V 475pF @ 100V
-
96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 LPTS TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
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11:52:37 10/21/2020